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REACH法規(guī)新增15種SVHC物質(zhì)
2009年12月7日，ECHA成員國委員會(huì)達(dá)成一致意見，將另外15種物質(zhì)列入REACH高度關(guān)注物質(zhì)（SVHC)候選清單。預(yù)計(jì)ECHA將在2010年1月份正式采納此決定，并將這15種物質(zhì)正式列入SVHC候選清單，屆時(shí)SVHC候選清單將增至30種物質(zhì)。
2010-03-17
REACH 法規(guī) 15種 SVHC物質(zhì) 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
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LED路燈是否應(yīng)該廣泛推廣成熱話題
東莞國際會(huì)展大酒店舉行的“2010年中國道路照明論壇”會(huì)議上,記者發(fā)現(xiàn),大約有80%的演講報(bào)告與LED路燈有關(guān)。2010年“十城萬盞”工作也進(jìn)入了重要的實(shí)施階段,21個(gè)試點(diǎn)城市之外的地方政府仍然十分積極的申請(qǐng)加入試點(diǎn)城市……
2010-03-17
LED LED路燈 道路照明
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上海光宇睿芯：打造本土分立器件巨頭
上海光宇睿芯微電子有限公司（Sino-IC）日前在深圳舉行了新產(chǎn)品發(fā)布會(huì)，除了發(fā)布了一系列新的產(chǎn)品線，還介紹了公司產(chǎn)品市場(chǎng)策略的變化。Sino-IC總裁劉健朝透露：“在2009年，我們還是一家以過壓保護(hù)器件為主的廠商，從今年起我們將產(chǎn)品線擴(kuò)展到各種分立器件，我們的最終目標(biāo)是打造成像On Semi、Visha...
2010-03-17
Sino-IC LED 傳感器
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電子信息產(chǎn)業(yè)：加快調(diào)整 搶占高端
電子信息產(chǎn)業(yè)是受國際金融危機(jī)影響較大的行業(yè)，通過貫徹落實(shí)產(chǎn)業(yè)調(diào)整振興規(guī)劃，正逐步復(fù)蘇，走向新的發(fā)展征程。溫家寶總理在政府工作報(bào)告中指出，大力發(fā)展信息網(wǎng)絡(luò)和高端制造業(yè)，加快物聯(lián)網(wǎng)的研發(fā)應(yīng)用，這些都為電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指明了方向。
2010-03-17
電子信息業(yè) 結(jié)構(gòu) 軟件服務(wù)業(yè) 新興產(chǎn)業(yè)
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RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品
RS Components宣布，通過其在線目錄RS Online渠道推出三洋（SANYO）半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。
2010-03-16
RS 三洋半導(dǎo)體 MOSFET IGBT 晶體管
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更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動(dòng)功率技術(shù)革命
GaN技術(shù)平臺(tái)開創(chuàng)行業(yè)先河，是IR研發(fā)部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質(zhì)外延技術(shù)，經(jīng)過5年精心研究的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設(shè)施，可為客戶提供世界級(jí)的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺(tái)。
2010-03-15
輕便 低溫 IR GaN 功率器件 革命
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TDK-EPC 開發(fā)并量產(chǎn)SMD型LAN用脈沖變壓器
特別在使用于模塊(module)的情況下，敝社以往的產(chǎn)品在裝載時(shí)，基板與脈沖變壓器是先通過手動(dòng)方式進(jìn)行配線處理。然后，為保持其安定性還需要使用樹脂來固定基板和零件。而該SMD型新產(chǎn)品，可利用回流(reflow)方式一次完成基板裝載,從而可以簡化生產(chǎn)工序。
2010-03-15
電感器 SMD LAN 脈沖變壓器
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中國制定太陽能光伏政策要考慮國情
對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，在過去的 5年中出現(xiàn)了新的趨勢(shì)，即半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展主要是由消費(fèi)者來推動(dòng)的,消費(fèi)者是真正的推動(dòng)力。現(xiàn)在半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展很大程度上依賴于手持設(shè)備，比如智能手機(jī)、運(yùn)行Win7的筆記本電腦和其他新潮熱門的產(chǎn)品等。只有消費(fèi)者和企業(yè)喜歡購買有吸引力的IT設(shè)備和有特色的產(chǎn)品，才能促...
2010-03-15
應(yīng)用材料 太陽能 光伏 政策
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IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET
這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù)，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。
2010-03-15
IR MOSFET HEXFET 硅技術(shù) 導(dǎo)通電阻
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術(shù)博弈
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