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汽車電子論壇精彩回顧：產(chǎn)業(yè)分析與瞭望
本文收錄了08~09年（第六屆&第七屆）上海汽車電子論壇關(guān)于產(chǎn)業(yè)分析和瞭望方面的演講資料。
2009-12-21
汽車電子 論壇 上海 演講 產(chǎn)業(yè)
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繼電器在汽車通信市場(chǎng)是未來(lái)重點(diǎn)
在今后一段時(shí)間內(nèi)，我國(guó)經(jīng)濟(jì)仍將高速發(fā)展，這將給繼電器行業(yè)帶來(lái)巨大的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。特別是我國(guó)各行業(yè)的高速增長(zhǎng)和升級(jí)換代具有自動(dòng)化、數(shù)字化的特征，對(duì)控制基礎(chǔ)元件——— 繼電器的需求不斷加大，對(duì)其技術(shù)性能、品質(zhì)、種類等都提出了更高要求。
2009-12-21
繼電器 汽車 通信繼電器
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安森美收購(gòu)California Micro Devices
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)于14日宣布以每股4.7美元，11日收盤價(jià)3.05美元溢價(jià)54%，總金額1.08億美元現(xiàn)金收購(gòu)California Micro Devices，強(qiáng)化手機(jī)產(chǎn)品線。
2009-12-21
安森美 CMD 手機(jī)
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Gartner：硅晶圓市場(chǎng)將復(fù)蘇 2010年增長(zhǎng)23%
市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)Gartner表示，09年第三季度，全球?qū)杈A需求環(huán)比增長(zhǎng)17% ，2009年對(duì)全球硅晶圓需求整體下滑幅度好于之前預(yù)期。但預(yù)計(jì)2010年第二季度會(huì)開(kāi)始恢復(fù)穩(wěn)步增長(zhǎng)，硅晶圓年度增長(zhǎng)率將為23.4%。
2009-12-21
硅晶圓 Gartner 復(fù)蘇
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NCV840x：安森美推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動(dòng)IC
首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出高度集成保護(hù)的NCV840x系列低端自保護(hù)MOSFET。這系列器件通過(guò)了AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，非常適用于嚴(yán)格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
2009-12-21
安森美 汽車標(biāo)準(zhǔn) 自保護(hù) MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC
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能源革命為微電子產(chǎn)業(yè)提供新機(jī)遇
在過(guò)去10年中，中國(guó)的GDP與能耗基本上是同比例增加的。從單位GDP(國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值)的能耗來(lái)看，根據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局提供的數(shù)據(jù)，當(dāng)前中國(guó)1億美元GDP所消耗的能源是12.03萬(wàn)噸標(biāo)準(zhǔn)煤，大約是日本的7.2倍，是德國(guó)的5.62倍，是美國(guó)的3.52倍，是印度的1.18倍，是世界平均水平的3.28倍。中國(guó)的GDP要趕超美國(guó)，如果...
2009-12-21
能源革命 微電子 新機(jī)遇 GDP 低能耗
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Sistema稱正與俄羅斯政府?dāng)偱院匣锸召?gòu)英飛凌
12月15日消息，俄羅斯Sistema公司總裁今日表示，公司正在就俄羅斯政府可能收購(gòu)英飛凌股份一事中成為俄方合作伙伴之一進(jìn)行談判。英飛凌是德國(guó)最大的芯片制造商。
2009-12-21
英飛凌 芯片制造 Sistema 收購(gòu)
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工信部明確環(huán)保使用期限，控制電子產(chǎn)品污染
日前，為了幫助廣大電子信息產(chǎn)品制造企業(yè)確定所生產(chǎn)產(chǎn)品的環(huán)保使用期限，工業(yè)和信息化部發(fā)布了《電子信息產(chǎn)品環(huán)保使用期限通則》(簡(jiǎn)稱《通則》)。
2009-12-18
工信部 電子產(chǎn)品污染 環(huán)保
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MGA-30x89系列：安華高科技推出三款新高線性增益方塊
Avago的MGA-30x89系列具有容易使用以及更廣帶寬等特性，使得這些增益方塊成為移動(dòng)通信設(shè)備、WiMAX無(wú)線基站、衛(wèi)星和有線電視機(jī)頂盒，以及其他各種40到6000MHz頻帶工作無(wú)線應(yīng)用的理想選擇。這些器件的平坦增益和高線性主要來(lái)自于采用Avago特有的0.25μm GaAs增強(qiáng)模式pHEMT工藝技術(shù)，內(nèi)置的溫度補(bǔ)償內(nèi)部...
2009-12-18
MGA-30x89 安華高科 高線性 增益方塊
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