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如何為Lattice CertusPro-NX FPGA評估板優(yōu)先考慮效率和成本
現(xiàn)代現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)系列（如Lattice Semiconductor CertusPro?-NX）適用面廣泛，但需滿足根據(jù)特定市場驅(qū)動(dòng)的需求而定制的電源要求。如果不清楚該如何平衡成本、性能和尺寸這三個(gè)要素，則可能難以為這些器件選擇合適的供電方式。本文介紹了適用于CertusPro-NX評估板的解決方案，同時(shí)針對特定...
2023-09-28
FPGA 評估板 ADI
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用于為激光驅(qū)動(dòng)器供電的數(shù)字電阻
本應(yīng)用筆記介紹了一種使用數(shù)字電阻為激光驅(qū)動(dòng)器供電的新架構(gòu)。它討論了數(shù)字電阻的特性及其連接到標(biāo)準(zhǔn)激光驅(qū)動(dòng)電路時(shí)的影響。此外，還將顯示必要的解決方案和計(jì)算。
2023-09-27
激光驅(qū)動(dòng)器 數(shù)字電阻
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芯原戴偉民：第二屆“滴水湖論壇”推介的RISC-V芯片已累計(jì)出貨超千萬片
8月28日，由芯原股份主辦的“第三屆滴水湖中國RISC-V產(chǎn)業(yè)論壇”在上海滴水湖洲際酒店召開。中國RISC-V產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長、芯原股份創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民博士做了開幕詞，并回顧了2022年滴水湖論壇推介的產(chǎn)品的最新進(jìn)展。
2023-09-27
芯原 RISC-V芯片 出貨量
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數(shù)字孿生連接產(chǎn)品設(shè)計(jì)與制造的橋梁
設(shè)計(jì)可制造性是設(shè)計(jì)產(chǎn)品以使其能夠高效制造的一般工程實(shí)踐。數(shù)字孿生 (DT) 的使用正在成為彌補(bǔ)設(shè)計(jì)和制造之間鴻溝的解決方案，具有大幅提高效率和減少浪費(fèi)的長期潛力。
2023-09-26
數(shù)字孿生 產(chǎn)品設(shè)計(jì)與制造
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以Wi-Fi無線通信設(shè)備增進(jìn)倉儲物流效率與安全
隨著倉儲物流行業(yè)逐漸導(dǎo)入自動(dòng)化系統(tǒng)，工業(yè)級Wi-Fi無線通信技術(shù)不僅可高效串聯(lián)搬運(yùn)設(shè)備與管理系統(tǒng)，同時(shí)也是提高對象、搬運(yùn)設(shè)備與現(xiàn)場人員安全的核心環(huán)節(jié)。
2023-09-26
Wi-Fi 無線通信設(shè)備 倉儲物流 效率 安全
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新一代數(shù)據(jù)中心的連接之“道”
2023年上半年，想必很多人都被ChatGPT刷屏了，這種基于龐大的數(shù)據(jù)集訓(xùn)練，能夠瞬間生成文本、視頻、音頻、圖形等內(nèi)容的“生成式AI(Generative AI)”，帶給人們的體驗(yàn)是顛覆性的。在此之后，科技圈就掀起了新一波的AI熱潮。
2023-09-26
數(shù)據(jù)中心 連接器
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搭建硬實(shí)時(shí)系統(tǒng)太難了？用它試一下！
現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)、支持 Linux 的RISC-V 微控制器單元 (MCU) 子系統(tǒng)、先進(jìn)的存儲器架構(gòu)和高性能通信接口，是設(shè)計(jì)人員的重要工具。對于安全互聯(lián)系統(tǒng)、安全關(guān)鍵型系統(tǒng)，以及人工智能 (AI) 和機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 等各種硬實(shí)時(shí)確定性系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員，更是如此。
2023-09-25
FPGA SoC DigiKey
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為什么消費(fèi)類DRAM無法滿足工業(yè)應(yīng)用需求？
消費(fèi)類DRAM廣泛普及，而且往往物美價(jià)廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費(fèi)類DRAM 在工業(yè)應(yīng)用中的真正危險(xiǎn)和缺陷。在本文中，我們將探討消費(fèi)類DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風(fēng)險(xiǎn)。
2023-09-25
消費(fèi)類DRAM 工業(yè)應(yīng)用
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SiC優(yōu)勢、應(yīng)用及加速向脫碳方向發(fā)展
如今，大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個(gè)相對新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應(yīng)用于MOSFET和肖特基二極管等半導(dǎo)體技術(shù)。
2023-09-24
SiC 脫碳方向
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