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SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現(xiàn)負(fù)壓？
現(xiàn)代工業(yè)對(duì)電力電子設(shè)備提出了很多要求：體積小、重量輕、功率大、發(fā)熱少。面對(duì)這些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一籌莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天優(yōu)勢(shì)開始大顯神通。SiC MOSFET大規(guī)模商用唯一的缺點(diǎn)就是價(jià)格。
2021-12-07
SiC MOSFET 單電源正電壓 Si MOSFET
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優(yōu)化信號(hào)鏈的電源系統(tǒng) — 第3部分：RF收發(fā)器
本文重點(diǎn)關(guān)注信號(hào)鏈的另一部分——RF收發(fā)器。本文將探討器件對(duì)來自各電源軌的噪聲的敏感度，確定哪些器件需要額外的噪聲濾波。本文提供了一種優(yōu)化的電源解決方案，并通過將其SFDR和相位噪聲性能與當(dāng)前PDN（當(dāng)連接到RF收發(fā)器時(shí)）進(jìn)行比較來進(jìn)一步驗(yàn)證。
2021-12-07
信號(hào)鏈 電源系統(tǒng) RF收發(fā)器
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第13屆年度DigiWish如愿以償活動(dòng)和節(jié)日禮物指南如期而至，Digi-Key請(qǐng)您查收！
Digi-Key推出其第 13 屆年度 DigiWish 如愿以償活動(dòng)和 2021 年節(jié)日禮物指南。節(jié)日將近，Digi-Key 正在幫助 24 位幸運(yùn)的獲獎(jiǎng)?wù)弑M早將項(xiàng)目從他們的愿望清單中劃掉，這些贈(zèng)品將在全球范激發(fā)許多新的創(chuàng)新，這是本司激勵(lì)和支持工程師并實(shí)現(xiàn)全球創(chuàng)新的持續(xù)使命的一部分。
2021-12-03
Digi-Key DigiWish 節(jié)日禮物指南
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2022第十二屆亞太國(guó)際電源產(chǎn)品及技術(shù)展覽會(huì)
十三五期間，中國(guó)電源產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)良好，2016年中國(guó)電源市場(chǎng)規(guī)模首次突破2000億大關(guān)，達(dá)2056億元，同比增長(zhǎng)6.9%，2018年，中國(guó)電源市場(chǎng)的規(guī)模達(dá)到2459億元，同比增長(zhǎng)5.95%，并預(yù)計(jì)到2023年，其市場(chǎng)規(guī)模將增至4221億元。隨著LED照明、分布式光伏、風(fēng)能、充電樁、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、智慧城市的興起與繁...
2021-12-02
亞太國(guó)際電源產(chǎn)品技術(shù)展覽會(huì) 風(fēng)能 充電樁 云計(jì)算
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GDDR6給FPGA帶來的大帶寬存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)以及性能測(cè)試
隨著互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的到來，人類所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)發(fā)生了前所未有的、爆炸性的增長(zhǎng)。IDC預(yù)測(cè)，全球數(shù)據(jù)總量將從2019年的45ZB增長(zhǎng)到2025年的175ZB[1]。同時(shí)，全球數(shù)據(jù)中近30%將需要實(shí)時(shí)處理，因而帶來了對(duì)FPGA等硬件數(shù)據(jù)處理加速器的需求。如圖1所示。
2021-12-02
GDDR6 FPGA 存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)
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I2C通信協(xié)議：了解I2C Primer、 PMBus和SMBus
I2C，即Inter-Integrated Circuit，是一種常用的串行通信協(xié)議，用于在器件之間——特別是兩個(gè)或兩個(gè)以上不同電路之間建立通信。I2C Primer是最常用的I2C。本文將介紹I2C Primer的基本特性和標(biāo)準(zhǔn)，并重點(diǎn)說明在通信實(shí)現(xiàn)過程中如何正確使用該協(xié)議。從I2C的基本原理出發(fā)，我們將介紹其變體子集——系統(tǒng)管理...
2021-12-02
wenwei
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貿(mào)澤電子攜手Bourns推出全新電子書探討浪涌保護(hù)技術(shù)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
專注于引入新品推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子宣布與知名電子元器件制造商和供應(yīng)商Bourns聯(lián)手推出全新電子書《How to Choose the Right Surge Protection Technology》（如何選擇合適的浪涌保護(hù)技術(shù)）。在該書中，Bourns和其他知名公司的行業(yè)專家就一些常見問題提供了見解，包括涵蓋浪涌保...
2021-11-30
貿(mào)澤電子 Bourns 浪涌保護(hù)技術(shù)
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低壓差穩(wěn)壓器LDO的基本原理與主要參數(shù)
取樣電壓加在比較器A的同相輸入端，與加在反相輸入端的基準(zhǔn)電壓Uref相比較，兩者的差值經(jīng)放大器A放大后，控制串聯(lián)調(diào)整管的壓降，從而穩(wěn)定輸出電壓。
2021-11-29
低壓差穩(wěn)壓器LDO
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MOSFET性能改進(jìn)：RDS(ON)的決定因素
許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結(jié)構(gòu)，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)耐受電壓VDSS＝600V時(shí)，Rdrift成為主導(dǎo)因素，當(dāng)耐受電壓是30V時(shí)，因素Rch的比例較高。
2021-11-29
MOSFET RDS
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