【導(dǎo)讀】快捷半導(dǎo)體公司的40VN信道PowerTrench MOSFET產(chǎn)品，具有最低電阻和低總閘極電荷以降低功率損耗。
FDB9403 采用快捷半導(dǎo)體的屏蔽閘極技術(shù)，改進(jìn)了電阻并降低了電容器。該組件提供比最接近競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低20%的RDS(ON)值，同時(shí)具備低Qg值，可降低功率損耗并最終提高整體效率。FDB9403 MOSFET產(chǎn)品作為基本的電流控制開關(guān)，有效控制電力，無任何浪費(fèi)，因此非常適合于電力操控系統(tǒng)、懸架控制及動(dòng)力傳動(dòng)管理應(yīng)用。
在VGS = 10V和ID = 80A時(shí)，更低功率損耗的典型值RDS(ON)= 1mΩ，因而實(shí)現(xiàn)更高效率；在VGS = 10V和ID = 80A時(shí)，典型值Qg(tot) = 164nC，功耗更低，因而實(shí)現(xiàn)更高效率；UIS能力；以及符合RoHS及AEC Q101標(biāo)準(zhǔn)。
