【導讀】充電電流表明電流通過一個理想的電容器。與充電電流相比，吸收電流有一個延遲過程，并且在低頻范圍內(nèi)伴隨有介電損耗、造成高介電常數(shù)電容器（鐵電性電容器）極性相反并在陶瓷與金屬電極界面上發(fā)生肖特基障壘。
因為電容器的電極之間是絕緣的，所以理論上電阻值是無窮大的。
然而，實際的電容器存在有限的電阻值，因為在絕緣電極之間有少量電流流動。
該電阻值稱為“絕緣電阻”，單位用電阻［MΩ］或CR積［Ω?F］、［MΩ?μF］表示。
絕緣電阻行為
當直流電壓直接施加在電容器后，突入電流（也稱充電電流）的流量如下圖1所示。隨著電容器逐漸被充電，電流呈指數(shù)降低。
電流I(t)隨時間的增加而分為三類（如方程（1）所示），即充電電流Ic(t)、吸收電流Ia(t)和漏電電流Ir。
I(t) = Ic(t) + Ia(t) + Ir ……方程（1）
充電電流表明電流通過一個理想的電容器。與充電電流相比，吸收電流有一個延遲過程，并且在低頻范圍內(nèi)伴隨有介電損耗、造成高介電常數(shù)電容器（鐵電性電容器）極性相反并在陶瓷與金屬電極界面上發(fā)生肖特基障壘。
漏電電流是在吸收電流的影響降低后，在一定階段出現(xiàn)的常數(shù)電流。
因此，下述電流值隨施加在電容器上的時間電壓量而變化。這意味著，只有在指定電壓用途下的定時測量才能確定電容器的絕緣電阻值。
獨石陶瓷電容器的絕緣電阻表示當在電容器端子之間施加直流電壓（無紋波）時，在設(shè)定時間（比如60秒）之后施加電壓和漏電流之間的比率。
此外，充電電流、吸收電流、漏電電流無法明確區(qū)分。
絕緣電阻值的規(guī)定及單位
如上所述，絕緣電阻的單位表示為電阻［MΩ］或CR乘積［MΩ?F］。
CR乘積［MΩ?F］是標稱電容和絕緣電阻的乘積。
根據(jù)產(chǎn)品編號，單位不同，請在各產(chǎn)品編號的詳細規(guī)格表上確認。
CR產(chǎn)品絕緣電阻［MΩ］的計算方法［MΩ?F］
例如：CR產(chǎn)品為500Ω?F或更高，電容為1μF時
-> 500ΩF/1μF＝500MΩ以上
電容值越高，其絕緣電阻值越低。
其原因解釋如下：考慮到獨石陶瓷電容器可以看作是一個導體，根據(jù)施加在其上的電壓和電流，利用歐姆定律可以計算出絕緣電阻。
絕緣電阻值R可以用方程（2）表示，導體的長度為L，導體的橫截面面積為S，電阻率為ρ。
R = ρ?L/S ……方程（2）
同樣，電容量C可以用方程（3）表示，獨石陶瓷電容器兩個電極之間的距離（電介質(zhì)厚度）用L表示，內(nèi)部電極的面積用S表示，介電常數(shù)為ε。
C ∝ ε?S/L ……方程（3）
方程（4）由方程（2）和方程（3）得出，由方程（4）可知R與C成反比。
R ∝ ρ?ε/C ……方程（4）
絕緣電阻越大表明直流電壓下的漏電電流越小。一般情況下，絕緣電阻值越大，電路的準確性越高。
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