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使用SiC MOSFET和Si IGBT柵極驅(qū)動優(yōu)化電源系統(tǒng)
在電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 系統(tǒng)等綠色能源應(yīng)用所需的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電器、電機(jī)驅(qū)動器和交流 (AC) 逆變器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是關(guān)鍵元件。但是如要獲得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的柵極在導(dǎo)通和關(guān)斷時需要精確的驅(qū)動電壓（具體取決于所使用的器件）。
2023-08-03
SiC MOSFET Si IGBT 柵極驅(qū)動 電源系統(tǒng)
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利用智能交流控制設(shè)計方法實現(xiàn)更好的家電安全
從機(jī)電到數(shù)字控制的轉(zhuǎn)變首先是通過現(xiàn)成的電子設(shè)備完成的——系統(tǒng)架構(gòu)是圍繞 MCU、分立晶體管和高壓雙向可控硅構(gòu)建的。
2023-07-31
智能交流 控制設(shè)計
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順應(yīng)新版國標(biāo)政策，首選瑞森半導(dǎo)體LLC方案
2023上半年困擾眾多電源工廠的重大事件，莫過于3C認(rèn)證新標(biāo)準(zhǔn)的頒布與實施。2022年7月1日起剛實施認(rèn)證EMC標(biāo)準(zhǔn)GB/T 17743-2021（要求轉(zhuǎn)換工作應(yīng)于2023年7月1日前完成）；然而在2022年12月29日又發(fā)布諧波標(biāo)準(zhǔn)更新GB/T 17625.1-2022（以下稱“新版標(biāo)準(zhǔn)”），兩種國標(biāo)同時要求換證。
2023-07-28
瑞森半導(dǎo)體 LLC
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漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌
開關(guān)導(dǎo)通時，線路和電路板版圖的電感之中會直接積蓄電能（電流能量）。當(dāng)該能量與開關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時，就會在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來說明發(fā)生浪涌時的振鈴電流的路徑。這是一個橋式結(jié)構(gòu)，在High Side（以下簡稱HS）和Low Side（以下簡稱LS）之間連接了一個開關(guān)器件，該...
2023-07-27
漏極 源極 浪涌
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基于自振蕩混頻的X波段單器件收發(fā)電路設(shè)計分析
作為通信系統(tǒng)中的兩個關(guān)鍵的電路單元，混頻器和振蕩器起著至關(guān)重要的作用。在無線通信中，混頻器與振蕩器的設(shè)計直接關(guān)系到整個電路是否具有高性能與高穩(wěn)定性的品質(zhì)。在接收前端電路中，混頻器作為實現(xiàn)頻率搬移的器件，將由天線所接收到的射頻(Radio Frequency，RF)信號與振蕩器所提供的本地振蕩(Loc...
2023-07-26
自振蕩混頻 X波段單器件 收發(fā)電路設(shè)計
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使用電流監(jiān)視器準(zhǔn)確測量系統(tǒng)功率參數(shù)
因此，對于 3W LED，無論是線性穩(wěn)壓器還是開關(guān)穩(wěn)壓器，電流檢測電阻器都會額外消耗 2.5W 的功率。這會產(chǎn)生大量的自熱并將效率降低至 50%，這對任何 DC/DC 轉(zhuǎn)換器解決方案都會產(chǎn)生重大影響。
2023-07-25
電流監(jiān)視器 系統(tǒng)功率
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如何從正電壓電源獲得負(fù)電壓，正電壓轉(zhuǎn)負(fù)電壓的方法圖解
該電路圖顯示了如何從正電壓電源獲得負(fù)電壓。該電路的另一個優(yōu)點是，負(fù)電壓與原始正電源一起可用于模擬雙電源。該電路基于定時器ICNE555。NE555作為非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器接線，工作頻率約為1KHz。方波輸出（如果位于IC的引腳3處）。
2023-07-25
正電壓電源 負(fù)電壓
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使用質(zhì)量彈簧阻尼器測量加速度
盡管阻尼器是該系統(tǒng)的重要組成部分，但我們將把它擱置到本系列的下一篇文章中，因為它對于 EE 來說可能有點神秘，并且可能需要幾段文字來介紹阻尼器的基本概念。
2023-07-25
彈簧阻尼器 加速度
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電視發(fā)射器電路
您想過傳輸音頻和視頻信號嗎？下面是放大和傳輸音頻和視頻信號的簡單電路。這些信號在甚高頻段（VHF）傳輸。
2023-07-22
電視 發(fā)射器電路
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