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比利時(shí)IMEC將單晶硅太陽(yáng)能電池效率提高至7.5％
比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC宣布，試制出了活性層厚度薄至10μm的單晶硅太陽(yáng)能電池，而且獲得了7.5％的能源效率。新款電池減小了厚度、減少了硅用量，可以說(shuō)向高效率太陽(yáng)能電池的開發(fā)又邁進(jìn)了一步。
2009-10-30
比利時(shí) IMEC 單晶硅 太陽(yáng)能 電池效率
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iSuppli: 中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)明年將強(qiáng)勁反彈
據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli稱，由于國(guó)內(nèi)電子產(chǎn)品出口的恢復(fù)，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)在2009年下降之后預(yù)計(jì)在2010年將強(qiáng)勁反彈。到2010年，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)將增長(zhǎng)17.8%，達(dá)到801億美元。
2009-10-30
iSuppli 半導(dǎo)體 出口 反彈
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天裕光能薄膜太陽(yáng)能電池通過(guò)德國(guó)認(rèn)證
2009年10月1日，公司正式取得了TüV Rheinland的認(rèn)證證書，成為國(guó)內(nèi)第一家獲得TüV Rheinland認(rèn)證的高品質(zhì)、高功率薄膜太陽(yáng)能電池組件生產(chǎn)商。認(rèn)證的通過(guò)不僅證明了我公司產(chǎn)品性能的優(yōu)越性，也獲得了通往歐洲的正式通行證。
2009-10-30
天裕 光能薄膜 太陽(yáng)能電池 TüV
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中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)已走出寒冬
工業(yè)和信息化部電子信息司副司長(zhǎng)丁文武在“2009中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”上表示，今年1月到8月，國(guó)內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)共完成固定資產(chǎn)投資超過(guò)2300億元，態(tài)勢(shì)逐漸好轉(zhuǎn)，同時(shí)出現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新更加活躍、新技術(shù)增長(zhǎng)點(diǎn)等積極態(tài)勢(shì)。
2009-10-29
電子產(chǎn)業(yè) 寒冬 回暖 增長(zhǎng)
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合建鎳氫電池項(xiàng)目金川集團(tuán)拓展下游
昨天，從金川集團(tuán)獲悉，公司與湖南科力遠(yuǎn)新能源股份有限公司(下稱“科力遠(yuǎn)”)舉行鎳氫電池項(xiàng)目合作開發(fā)框架協(xié)議簽字儀式，共同建設(shè)鎳氫電池項(xiàng)目。
2009-10-29
鎳氫電池 金川集團(tuán) 合建 下游
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利用“軟啟動(dòng)電路”消除開關(guān)電源浪涌電流
傳統(tǒng)的輸入浪涌電流限制方法是串聯(lián)負(fù)溫度系數(shù)熱敏限流電阻器(NTC)，然而這種簡(jiǎn)單的方法具有很多缺點(diǎn)：如NTC電阻器的限流效果受環(huán)境溫度影響較大、限流效果在短暫的輸入主電網(wǎng)中斷(約幾百毫秒數(shù)量級(jí))時(shí)只能部分地達(dá)到、NTC電阻器的功率損耗降低了開關(guān)電源的轉(zhuǎn)換效率……。其實(shí)上面提出的這兩個(gè)問(wèn)題可以...
2009-10-29
軟啟動(dòng) 浪涌電流 開關(guān)電源
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ESD器件:新接口市場(chǎng)是熱點(diǎn) 集成EMI方案將流行
靜電防護(hù)電路一直是電子工程師必須考慮的一個(gè)問(wèn)題。業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)，在未來(lái)幾年，計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子等應(yīng)用中的新型接口將對(duì)ESD防護(hù)器件產(chǎn)生巨大需求。為此，元器件廠商近期推出了多種新產(chǎn)品應(yīng)對(duì)市場(chǎng)的需求。
2009-10-29
ESD 元器件 靜電防護(hù)器件
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時(shí)代周刊:中國(guó)太陽(yáng)能革命對(duì)全世界影響深遠(yuǎn)
雖然中國(guó)政府預(yù)計(jì)未來(lái)20年內(nèi)煤炭使用量每年還將增加3%，但是政府已經(jīng)要求大型發(fā)電企業(yè)增加可再生能源的使用量。
2009-10-29
太陽(yáng)能革命 清潔能源 時(shí)代周刊
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晶體硅太陽(yáng)電池?cái)U(kuò)散氣氛?qǐng)鼍鶆蛐匝芯?/span>
晶體硅太陽(yáng)電池的主要工藝制作過(guò)程包括制絨、擴(kuò)散、刻蝕、鍍膜、印刷、燒結(jié)等，每道工序的相關(guān)控制參數(shù)都直接或間接地與電池電性能參數(shù)相關(guān)聯(lián)。對(duì)于擴(kuò)散工序而言，擴(kuò)散的均勻性直接體現(xiàn)在硅片形成的P-N結(jié)結(jié)深差異性上，均勻性好反映出結(jié)深差異性小，反之亦然。本文主要講擴(kuò)散制造工藝
2009-10-29
晶體硅 太陽(yáng)電池 擴(kuò)散性研究
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