【導(dǎo)讀】中高功率逆變器中的IGBT切換時(shí)會引起很大的電壓和電流尖峰，這種尖峰是導(dǎo)致嚴(yán)重EMI的重要原因。Vishay最新開發(fā)的緩沖電容可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流，壽命超過30萬小時(shí)，可耐105℃高溫。
Vishay推出新款高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器---Vishay Roederstein MKP386M，該器件可直接安裝在絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊上，容量從0.047µF到10µF，可在+105℃高溫下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～800VAC共7個(gè)電壓等級。
Vishay還提供結(jié)構(gòu)長度58mm的器件，用于高功率IGBT模塊。緩沖電容器的ESR低至1.5mΩ，容量公差±5 %，引線間隔的每毫米自感為0.7nH，RMS電流高達(dá)20A。器件采用阻燃塑料外殼和環(huán)氧樹脂密封，無鉛、無鹵素，符合RoHS指令。
MKP386M現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為十周到十二周。
