【導(dǎo)讀】表面上看起來(lái)簡(jiǎn)單的東西往往很復(fù)雜。就拿功率MOSFET來(lái)說(shuō)吧，功率MOSFET只有三個(gè)引腳（柵極、源極、漏極），但是誰(shuí)能想到看起來(lái)簡(jiǎn)單的功率MOSFET會(huì)那么復(fù)雜。如果為熱插拔應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換分別選MOSFET，你會(huì)選哪一個(gè)？
熱插拔電路使用一個(gè)功率MOSFET作為串聯(lián)限流器件，并且控制啟動(dòng)涌入電流和故障電流。瞬變和故障事件發(fā)生期間，MOSFET的能耗會(huì)大于穩(wěn)定狀態(tài)下消耗的電能，并且會(huì)超過(guò)MOSFET的發(fā)熱限值，所以設(shè)計(jì)人員必須確保MOSFET在其安全工作區(qū)（SOA）內(nèi)運(yùn)行。有很多不錯(cuò)的資源可以幫助設(shè)計(jì)人員選擇一款合適的MOSFET來(lái)滿(mǎn)足所有事件區(qū)域內(nèi)的功率耗散要求。
圖1：看起來(lái)簡(jiǎn)單的N通道MOSFET
德州儀器(TI)還提供針對(duì)熱插拔應(yīng)用的詳細(xì)Excel表格計(jì)算器。此應(yīng)用使用應(yīng)用注釋中列出的方法進(jìn)行功率限制。這里有一個(gè)設(shè)計(jì)計(jì)算器的鏈接，此計(jì)算器特有TPS27420，一款支持電流監(jiān)控的2.5V至18V熱插拔控制器。熱插拔和電子熔絲(e-fuse)計(jì)算器的完整列表請(qǐng)單擊這里。對(duì)于TPS27420，一款值得考慮的功率MOSFET協(xié)同器件是采用5mmx6mm SON封裝的全新30V CSD17570Q5B。這款MOSFET在其封裝尺寸內(nèi)特有業(yè)界最低的0.56毫歐導(dǎo)通電阻（典型值，VGS=10V），并且專(zhuān)門(mén)針對(duì)高電流熱插拔應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
一個(gè)檢查MOSFET是否能夠耐受熱插拔應(yīng)用中DC或單脈沖電流的快速方法就是查看MOSFET SOA曲線(xiàn)。這些SOA曲線(xiàn)通常假定結(jié)溫從25°C的環(huán)境溫度上升到額定最大結(jié)溫，在這個(gè)情況下為150°C。然而，散熱要求常常需要在更高的起始溫度上運(yùn)行，并且圖中的數(shù)據(jù)必須根據(jù)等式1針對(duì)較低的溫度上升值進(jìn)行調(diào)整，其中SOAT代表在任意溫度T上的SOA性能，SOAJMAX代表制造商SOA曲線(xiàn)的一個(gè)特定點(diǎn)上的性能，而TJMAX和TA代表峰值和環(huán)境結(jié)溫。
等式1：SOAT=SOAJMAXx(TJMAX–T)/(TJMAX–TA)
圖2：CSD17570Q5B在25°C時(shí)的最大安全工作區(qū)
例如，SOA曲線(xiàn)顯示CSD17570Q5B在25°C，1ms脈沖，最大輸入12V的條件下能夠耐受15A（或180W）的電流。比如說(shuō)，當(dāng)MOSFET工作結(jié)溫為79°C時(shí)，功率性能降為102W=180W*(150-79)/(150–25)。
較短的單音節(jié)詞看起來(lái)簡(jiǎn)單，但是意思很復(fù)雜-這也一定是他們?cè)谂琶?0歌曲的歌詞中被廣泛使用的原因。引腳數(shù)量低的集成電路也可以很復(fù)雜。所以，我投功率MOSFET一票。
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