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供需現(xiàn)差異 部分芯片產(chǎn)品交貨期拉長至20周
iSuppli指出，整體市場的交貨期比一個(gè)月以前所預(yù)期的拉長很多;例如功率 MOSFET 與小型訊號(hào)晶體管的交貨期在6月時(shí)約20周，雙極功率組件(bipolar Power devices)與整流器的交貨期則為18周;而在正常情況下，這些零組件的交貨期應(yīng)該是10~12周。
2010-07-19
供需差異 芯片 交貨期 iSuppli
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鋰電池智能充電管理與電路保護(hù)設(shè)計(jì)
那鋰電池到底為什么發(fā)生起火甚至爆炸呢，有什么措施可以避免和杜絕嗎？電子元件技術(shù)網(wǎng)精心搜集和整理社區(qū)內(nèi)鋰電池技術(shù)文章，此次本月談聚焦鋰電池智能充放電管理和電路保護(hù)設(shè)計(jì)，涉及鋰電池材料結(jié)構(gòu)、鋰電池工作原理、鋰電池智能充放電管理、鋰電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)等多個(gè)方面，解析鋰電池制造工藝、散...
2010-07-16
鋰電池 鋰電池充放電 電路保護(hù) 智能充電
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意法半導(dǎo)體（ST）縮小電涌保護(hù)器件尺寸
保護(hù)IC的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體推出創(chuàng)新的電涌保護(hù)芯片，通過將額定電涌能量吸收能力擴(kuò)展到最大工作溫度，新產(chǎn)品有助于降低電子設(shè)備電涌保護(hù)器件的尺寸和成本。而市場現(xiàn)有競爭產(chǎn)品的保護(hù)性在工作溫度超過25°C時(shí)會(huì)大幅降低。
2010-07-16
意法半導(dǎo)體 ST 電涌 保護(hù)器件
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Mouser 獲“松下電工”2009年度分銷商銷售增長獎(jiǎng)
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名，今日宣布榮獲“松下電氣” 2010年度分銷商銷售增長獎(jiǎng)?！八上码姎狻笔菣C(jī)電類和固態(tài)連接器產(chǎn)品的市場領(lǐng)先者。
2010-07-14
Mouser “松下電工” 分銷商銷售
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AQF100系列：ARCH 推出支持全范圍電壓輸入的節(jié)能電源用于工控設(shè)備
為滿足高端工控設(shè)備、工業(yè)儀器儀表、通訊設(shè)備生產(chǎn)商日益增長的高功率密度和節(jié)能高效的需求，翊嘉電子（ARCH）日前推出支持全范圍電壓輸入的 AQF100系列節(jié)能電源，四種不同輸出電壓可供選擇，效率高達(dá)93%。該系列產(chǎn)品外形小巧，103.9 x 52.1 x 25.0 mm的尺寸節(jié)省設(shè)備內(nèi)電源板載面積，提供標(biāo)準(zhǔn)端子臺(tái)...
2010-07-13
ARCH AQF100 節(jié)能電源
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5月份全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到246億5000萬美元
美國半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)（Semiconductor Industry Association，SIA）統(tǒng)計(jì)的數(shù)字顯示，2010年5月的全球半導(dǎo)體銷售額為246億5000萬美元（3個(gè)月的移動(dòng)平均值，以下相同）。比在單月銷售額中創(chuàng)下歷史新高的2010年4月增加了4.5％，連續(xù)2個(gè)月刷新歷史最高記錄。
2010-07-13
半導(dǎo)體 SIA
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IR推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術(shù)的新產(chǎn)品
IR拓展了HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。
2010-07-13
IR PQFN 封裝 銅夾 MOSFET
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Vishay Siliconix推出新款ThunderFET?功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET?功率MOSFET --- ThunderFET? SiR880DP。
2010-07-13
Vishay Siliconix ThunderFET? MOSFET
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IDC報(bào)告稱未來四年全球半導(dǎo)體收入年增長將超8%
據(jù)市場研究公司IDC最新研究報(bào)告稱，預(yù)計(jì)2010年、2011年和2014年的全球半導(dǎo)體收入將分別達(dá)到2740億美元、2950億美元和3440 億美元，2009年到2014年期間的混合年增長率大約為8.8%。
2010-07-12
IDC 半導(dǎo)體
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