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Pwrx推出高壓大電流二極管模塊QRSB165001/QRD6565001
QRSB165001/QRD6565001二極管模塊采用帶狀，67mm二極管單元（每個(gè)模塊有2個(gè)），可提供的穩(wěn)態(tài)電流為650A，用于高電壓/電流隔離。
2010-04-20
Pwrx 高壓 大電流 二極管 QRSB165001
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分立器件低端市場(chǎng)中國(guó)企業(yè)已無(wú)差距
近年來(lái)，半導(dǎo)體基礎(chǔ)器件的二、三極管，其銷售額在世界半導(dǎo)體總銷售額中所占比重逐年下降，但是分立器件每年的銷售額仍以個(gè)位數(shù)平穩(wěn)增長(zhǎng)。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件的發(fā)展稍好，且以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)，高于世界的增長(zhǎng)水平。由此可見(jiàn)，半導(dǎo)體分立器件仍有很大的發(fā)展空間
2010-04-20
分立器件 低端市場(chǎng) 無(wú)差距 銷售額 下降
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泰科電子推出符合ROHS認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的IDC SSL連接器
日前，泰科電子宣布推出全新IDC SSL連接器，用于實(shí)現(xiàn)LED印刷電路板(PCB)上散線的快速、免工具刺破式連接。該產(chǎn)品適用于18-24 AWG的單芯及多股線，通過(guò)絕緣刺破技術(shù)消除剝線與焊接過(guò)程中繁重的人工工作
2010-04-20
泰科 ROHS認(rèn)證 標(biāo)準(zhǔn) IDC SSL連接器
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應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦
應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦
2010-04-19
應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦
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2011年車燈市場(chǎng)LED尾燈成長(zhǎng)最強(qiáng)勁
由于車燈市場(chǎng)發(fā)展也進(jìn)入成熟期，先進(jìn)光源系統(tǒng)已成為車燈發(fā)展關(guān)鍵。2007年全球車燈市場(chǎng)規(guī)模132億美元，到2011年可望成長(zhǎng)到150億美元規(guī)模。其中，LED車燈市場(chǎng)規(guī)模約6.9億美元，但StrategiesUmlimited預(yù)計(jì)，到2011年全球LED車燈市場(chǎng)規(guī)模將可成長(zhǎng)到12億美元，LED車燈市場(chǎng)滲透率上看8%，年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)13%。
2010-04-19
車燈市場(chǎng) LED尾燈 強(qiáng)勁 滲透率
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東京農(nóng)工大學(xué)開發(fā)出單層碳納米管與鈦酸鋰復(fù)合而成的鋰離子電容器
東京農(nóng)工大學(xué)研究生院于2009年3月宣布，開發(fā)出了采用碳納米纖維（CNF）與LTO復(fù)合而成的負(fù)極的鋰離子電容器，與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比，實(shí)現(xiàn)了約3倍的能量密度。而且還表示，將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術(shù)的鋰離子電容器的體制。
2010-04-19
東京 大學(xué) 單層 碳納米管 鈦酸鋰 鋰離子電容器
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IR上市導(dǎo)通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET
據(jù)稱，該功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優(yōu)值）為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購(gòu)買1萬(wàn)個(gè)時(shí)的單價(jià)為1.50美元。
2010-04-19
IR 導(dǎo)通電阻 耐壓 功率MOSFET
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2011年電路保護(hù)市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)
2011年，市場(chǎng)預(yù)測(cè)預(yù)測(cè)表明：表面貼裝式壓敏電阻將在手機(jī)和汽車電子市場(chǎng)持續(xù)成長(zhǎng)；聚合物PTC熱敏電阻在傳統(tǒng)過(guò)流保護(hù)如筆記本電腦和上網(wǎng)本的USB防護(hù)和電池的二次防護(hù)方面得到發(fā)展；NTC熱敏電阻的市場(chǎng)重心將偏向汽車和大型家庭用空調(diào)系統(tǒng)（其價(jià)值在于組件的生產(chǎn)，而不是熱敏電阻本身）；氣體放電管由于...
2010-04-16
過(guò)流保護(hù) 過(guò)壓保護(hù) 電路保護(hù)
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全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出衰退潮有望扭轉(zhuǎn)
國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner發(fā)布最終統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2009年全球半導(dǎo)體設(shè)備資本設(shè)備支出為166億美元，較2008年衰退45.8%。在主要設(shè)備部門中，受到削減資本支出的沖擊，晶圓廠設(shè)備支出大幅下滑47%，后端設(shè)備(BEE)支出亦減少40%。
2010-04-16
半導(dǎo)體設(shè)備 資本支出 衰退潮 扭轉(zhuǎn)
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