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宇陽(yáng)控股0201超微型MLCC通過鑒定
宇陽(yáng)控股近日宣布，其自主研發(fā)的0201超微型MLCC（片式多層陶瓷電容器）已成功通過國(guó)家科學(xué)技術(shù)部授權(quán)組織科學(xué)技術(shù)成果鑒定，標(biāo)志著公司成為全國(guó)首家成功開發(fā)0201 MLCC的企業(yè)。
2008-05-30
宇陽(yáng) 0201 MLCC
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SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET
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SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET
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VBUS052BD-HT：Vishay新型雙二極管總線端口保護(hù)陣列
日前，Vishay宣布推出新小型雙二極管 ESD 保護(hù)陣列，旨在保護(hù)兩個(gè)高速 USB 端口或最多兩條其他高頻信號(hào)線不受瞬態(tài)電壓信號(hào)干擾。
2008-05-23
VBUS052BD-HTF 雙二極管 ESD 保護(hù)陣列
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VBUS052BD-HT：Vishay新型雙二極管總線端口保護(hù)陣列
日前，Vishay宣布推出新小型雙二極管 ESD 保護(hù)陣列，旨在保護(hù)兩個(gè)高速 USB 端口或最多兩條其他高頻信號(hào)線不受瞬態(tài)電壓信號(hào)干擾。
2008-05-23
VBUS052BD-HTF 雙二極管 ESD 保護(hù)陣列
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VBUS052BD-HT：Vishay新型雙二極管總線端口保護(hù)陣列
日前，Vishay宣布推出新小型雙二極管 ESD 保護(hù)陣列，旨在保護(hù)兩個(gè)高速 USB 端口或最多兩條其他高頻信號(hào)線不受瞬態(tài)電壓信號(hào)干擾。
2008-05-23
VBUS052BD-HTF 雙二極管 ESD 保護(hù)陣列
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B1642：EPCOS電纜調(diào)制解調(diào)器用聲表面波濾波器
愛普科斯(EPCOS)現(xiàn)可提供B1642聲表面波（SAW）濾波器，用于接收寬帶電視和接入因特網(wǎng)的電纜調(diào)制解調(diào)器。該產(chǎn)品專門針對(duì)國(guó)際第三代有線電纜數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)接口規(guī)范（DOCSIS 3.0標(biāo)準(zhǔn)）而研發(fā),這一規(guī)范將主要應(yīng)用在美國(guó)和韓國(guó)。
2008-05-21
B1642 聲表面波濾波器 SAW濾波器
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MAX4996/MAX4996L：Maxim SDHC和SDIO復(fù)用三路DPDT開關(guān)
Maxim推出三路雙刀雙擲(DPDT)開關(guān)MAX4996/MAX4996L，可切換多路高達(dá)670MHz的高頻信號(hào)。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為2.0Ω)、導(dǎo)通電容(典型值為6pF)和功耗(典型值為3μA)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高頻切換。
2008-05-19
MAX4996 MAX4996L 三路雙刀雙擲(DPDT)開關(guān)
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MAX4996/MAX4996L：Maxim SDHC和SDIO復(fù)用三路DPDT開關(guān)
Maxim推出三路雙刀雙擲(DPDT)開關(guān)MAX4996/MAX4996L，可切換多路高達(dá)670MHz的高頻信號(hào)。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為2.0Ω)、導(dǎo)通電容(典型值為6pF)和功耗(典型值為3μA)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高頻切換。
2008-05-19
MAX4996 MAX4996L 三路雙刀雙擲(DPDT)開關(guān)
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