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用于 SiC 解決方案設(shè)計(jì)的模塊化評(píng)估平臺(tái)
以碳化硅(SiC) 技術(shù)為動(dòng)力的下一代功率半導(dǎo)體將滿(mǎn)足快速增長(zhǎng)的純電動(dòng)汽車(chē) (BEV) 市場(chǎng)和充電基礎(chǔ)設(shè)施的需求，以及對(duì)新能效標(biāo)準(zhǔn)、更高工業(yè)和可再生能源領(lǐng)域的功率密度和更小的系統(tǒng)尺寸。
2023-01-16
SiC 模塊化評(píng)估平臺(tái)
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使用推挽式放大器級(jí)增加放大器輸出驅(qū)動(dòng)
許多便攜式電路需要精密測(cè)量能力以及低功耗操作，以最大限度地減少電流和電池消耗。在尋找具有這些要求的放大器時(shí)，可能相對(duì)容易滿(mǎn)足低功耗和精度要求，但驅(qū)動(dòng)電流可能不足以滿(mǎn)足這些低功耗器件的需求。
2023-01-16
推挽式放大器 放大器輸出驅(qū)動(dòng)
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如何實(shí)施時(shí)間敏感型網(wǎng)絡(luò)以確保確定性通信
確定性通信在各種應(yīng)用中至關(guān)重要，如自主機(jī)器人和其他工業(yè) 4.0 系統(tǒng)、5G 通信、汽車(chē)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 以及實(shí)時(shí)流服務(wù)。IEEE 802 以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)（即時(shí)間敏感型網(wǎng)絡(luò) (TSN)）已經(jīng)擴(kuò)展，以支持確定性通信。如果實(shí)施得當(dāng)，TSN 可以與非 TSN 設(shè)備互操作，但確定性通信僅可在啟用 TSN 的設(shè)備之間進(jìn)行。
2023-01-16
時(shí)間敏感型網(wǎng)絡(luò) 通信 5G 通信 ADAS
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基于單片機(jī)系統(tǒng)的指紋識(shí)別方案和設(shè)計(jì)要點(diǎn)
隨著指紋識(shí)別在智能手機(jī)上面的普及，指紋識(shí)別技術(shù)在越來(lái)越多的場(chǎng)合中得到應(yīng)用。除了手機(jī)應(yīng)用之外，在移動(dòng)支付、門(mén)禁系統(tǒng)、智能家庭等嵌入式場(chǎng)景中也逐漸普及開(kāi)來(lái)。在系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)上面，智能手機(jī)本身?yè)碛袕?qiáng)大的計(jì)算能力和豐富的內(nèi)存資源，實(shí)現(xiàn)指紋識(shí)別并不困難，但在嵌入式系統(tǒng)中特別是基于MCU的應(yīng)用場(chǎng)合...
2023-01-13
單片機(jī)系統(tǒng) 指紋識(shí)別
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高精度電流檢測(cè)放大器可實(shí)現(xiàn)電流檢測(cè)和均流
DC/DC 轉(zhuǎn)換器模塊之間的均流使多個(gè)模塊可以并聯(lián)。近年來(lái)，分立式電流檢測(cè)電路設(shè)計(jì)的嚴(yán)格容差使分立式電流檢測(cè)電路設(shè)計(jì)成為一項(xiàng)艱巨的挑戰(zhàn)。本應(yīng)用筆記介紹了一種采用MAX4372的低成本、節(jié)省空間、高精度電流檢測(cè)和共享方案。
2023-01-13
電流檢測(cè)放大器 電流檢測(cè) 均流
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晶圓級(jí)封裝Bump制造工藝關(guān)鍵點(diǎn)解析
射頻前端（RFFE，Radio Frequency Front-End）模組國(guó)內(nèi)外手機(jī)終端中廣泛應(yīng)用。它將功率放大器（PA，Power Amplifier）、開(kāi)關(guān)（Switch）、低噪聲放大器LNA（Low Noise Amplifier）、濾波器（Filter）、無(wú)源器件等集成為一個(gè)模組，從而提高性能，并減小封裝體積。然而，受限于國(guó)外專(zhuān)利以及設(shè)計(jì)水平等...
2023-01-13
晶圓級(jí)封裝 Bump制造工藝 射頻前端 濾波器 賀利氏
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網(wǎng)絡(luò)分析儀在材料測(cè)試中的應(yīng)用
自然界中大多數(shù)物質(zhì)在微波波段都呈現(xiàn)為有損耗的絕緣體，稱(chēng)之為電介質(zhì)，簡(jiǎn)稱(chēng)介質(zhì)。介質(zhì)在電場(chǎng)的作用下都會(huì)發(fā)生極化現(xiàn)象，即介質(zhì)在外加電場(chǎng)的作用下其內(nèi)部的正負(fù)電荷向著相反方向發(fā)生微小位移，從而產(chǎn)生許多電偶極矩。介質(zhì)極化后在介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生一個(gè)極化電場(chǎng)，這個(gè)電場(chǎng)的方向與外加電磁場(chǎng)的方向相反，...
2023-01-12
網(wǎng)絡(luò)分析儀 材料測(cè)試
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電感飽和與開(kāi)關(guān)電源之間的密切關(guān)系(上篇）
作為電源界的"古早網(wǎng)紅"，開(kāi)關(guān)電源以小型、輕量和高效率的特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用在幾乎所有的電子設(shè)備中，而且在當(dāng)今的智能互聯(lián)時(shí)代也依然占據(jù)通信系統(tǒng)的C位，其熱度經(jīng)久不衰。
2023-01-12
電感飽和 開(kāi)關(guān)電源
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使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)預(yù)測(cè)先進(jìn)FinFET技術(shù)的工藝窗口和器件性能
負(fù)載效應(yīng) (loading) 的控制對(duì)良率和器件性能有重大影響，并且它會(huì)隨著 FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）器件工藝的持續(xù)微縮變得越來(lái)越重要[1-2]。當(dāng)晶圓的局部刻蝕速率取決于現(xiàn)有特征尺寸和局部圖形密度時(shí)，就會(huì)發(fā)生負(fù)載效應(yīng)?？涛g工藝 loading 帶來(lái)的器件結(jié)構(gòu)上的微小變化可能會(huì)對(duì)器件良率和性能產(chǎn)生負(fù)...
2023-01-11
虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) FinFET技術(shù)
- 線(xiàn)繞電阻在電力電子與工業(yè)控制中的關(guān)鍵作用
- 線(xiàn)繞電阻在精密儀器與醫(yī)療設(shè)備中的高精度應(yīng)用和技術(shù)實(shí)踐
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