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ADALM2000實(shí)驗(yàn)：變壓器耦合放大器
升降壓變壓器的基本定義是一種將輸入的交流電壓轉(zhuǎn)換為比原電壓更高（升壓）或更低（降壓）的器件。此外還有可用于將電路與地隔離的變壓器，這種變壓器被稱為隔離變壓器。本文將側(cè)重討論變壓器的另一種用途，即用于匹配電路阻抗以實(shí)現(xiàn)最大功率傳輸。
2024-11-24
ADALM2000 變壓器 耦合放大器
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-23
功率器件 熱設(shè)計(jì) 功率半導(dǎo)體 芯片
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采用系統(tǒng)級(jí)模塊方法簡(jiǎn)化精密阻抗分析儀的設(shè)計(jì)
許多應(yīng)用都要求準(zhǔn)確的阻抗測(cè)量，這些應(yīng)用包括觸摸屏校準(zhǔn)、半導(dǎo)體表征、晶圓驗(yàn)收和電池測(cè)試。用于這些應(yīng)用的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備 (ATE) 通常需要以高精確度、高靈敏度的方式測(cè)量某個(gè)寬頻范圍內(nèi)的阻抗。
2024-11-23
系統(tǒng)級(jí)模塊 精密阻抗 分析儀
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艾睿電子助力SAVART Motors擴(kuò)大其在印尼的電動(dòng)車制造規(guī)模
全球技術(shù)解決方案供應(yīng)商艾睿電子宣布為印尼本土電動(dòng)車制造商SAVART Motors提供支持，助力其設(shè)計(jì)和制造高品質(zhì)、安全且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的電動(dòng)兩輪車。首批數(shù)百輛SAVART電動(dòng)兩輪車預(yù)計(jì)將于2025年第二季度投入市場(chǎng)。
2024-11-23
艾睿電子 SAVART Motors 電動(dòng)車制造
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隔離飛電容多電平變換器的硬件設(shè)計(jì)
為了確保在指定的 40 V 輸出上進(jìn)行安全可靠的測(cè)試，選擇組件時(shí)要考慮各種操作。為了實(shí)現(xiàn)更大的電壓測(cè)試，并展示飛跨電容器多電平轉(zhuǎn)換器 (FCMFC) 如何利用與反激式轉(zhuǎn)換器相同的組件更有效地執(zhí)行， 本研究中未使用飛跨電容器結(jié)構(gòu)帶來(lái)的較低額定電壓。這表明后續(xù)幾代產(chǎn)品將通過(guò)使用 額定值較低的半導(dǎo)體...
2024-11-23
飛電容 電平變換器 硬件設(shè)計(jì)
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【“源”察秋毫系列】多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試應(yīng)用助力功率器件研究及性能評(píng)估
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件在電動(dòng)汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對(duì)功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動(dòng)汽車領(lǐng)域，功率器件需要在高電壓、高電流和高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，這對(duì)器件的耐久性和可靠性是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。同時(shí)，隨著SiC等寬禁帶半...
2024-11-23
雙脈沖測(cè)試應(yīng)用 功率器件
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高信噪比MEMS麥克風(fēng)驅(qū)動(dòng)人工智能交互
在英飛凌，我們一直堅(jiān)信卓越的音頻解決方案對(duì)于提升消費(fèi)類設(shè)備的用戶體驗(yàn)至關(guān)重要。我們堅(jiān)定不移地致力于創(chuàng)新，在主動(dòng)降噪、語(yǔ)音透?jìng)?、錄音室錄音、音頻變焦和其他相關(guān)技術(shù)方面取得了顯著進(jìn)步，對(duì)此我們深感自豪。作為MEMS麥克風(fēng)的領(lǐng)先供應(yīng)商，英飛凌集中資源改善MEMS麥克風(fēng)的音頻質(zhì)量，為TWS和耳罩...
2024-11-23
高信噪比 MEMS麥克風(fēng) 人工智能交互
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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會(huì)對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響，未來(lái)可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來(lái)降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問(wèn)晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明，與6F2結(jié)構(gòu)相比，4F2結(jié)...
2024-11-20
DRAM器件 寄生電容
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韌性與創(chuàng)新并存，2024 IIC創(chuàng)實(shí)技術(shù)再獲獎(jiǎng)分享供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)下的自我成長(zhǎng)
11月5日-6日，由全球電子行業(yè)知名媒體AspenCore主辦的國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)（IIC Shenzhen 2024）在深圳福田會(huì)展中心7號(hào)館圓滿落幕。作為業(yè)界頗具影響力的系統(tǒng)設(shè)計(jì)峰會(huì)，IIC Shenzhen 2024再次為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)搭建了一個(gè)專業(yè)的交流平臺(tái)，聚集國(guó)內(nèi)外電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖、管理人員、設(shè)計(jì)精英及決策者，聚...
2024-11-19
IIC 創(chuàng)實(shí)技術(shù) 供應(yīng)鏈
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