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分析：稱重傳感器技術(shù)發(fā)展動向
稱重傳感器技術(shù)的發(fā)展國際上主要有兩種發(fā)展途徑：以美國為代表的先軍工后民用，先提高后普及的途徑和以日本為代表的實用化商品化，先普及后提高的途徑。我國應(yīng)屬于后者，盡管軍工部門研究應(yīng)用較早，但快速發(fā)展和普及還是在近20年,急需提高我國稱重傳感器的總體技術(shù)、工藝和質(zhì)量水平。
2009-12-22
稱重傳感器 工藝 技術(shù)
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微電子產(chǎn)業(yè)亟待國家政策扶持
無論哥本哈根聯(lián)合國氣候變化大會最終有怎樣的結(jié)果，這樣一個能將全球近200個國家和地區(qū)的上萬名代表聚攏到談判桌前的會議讓我們看到：控制碳排放，延緩甚至改變氣候變暖是大勢所趨?？刂铺寂欧抛h題既屬責(zé)任范疇，也孕育著商業(yè)機會。
2009-12-22
低碳經(jīng)濟 微電子 光電子 新能源
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臺灣研出16納米SRAM技術(shù) 使電子設(shè)備更輕薄
臺灣科研機構(gòu)近日宣布，開發(fā)出全球第一個16納米的SRAM新組件，由于可容納晶體管是現(xiàn)行45納米的10倍，這可使未來電子設(shè)備更輕薄。
2009-12-22
臺灣 納米 SRAM組件 電子設(shè)備
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賽格三星甩賣CRT設(shè)備還債 退出顯示行業(yè)
賽格三星(000068)近日公告，計劃變賣購置價為30.17億元的CRT設(shè)備，以償還即將到期的銀行債務(wù)。該資產(chǎn)目前賬面凈值為1.51億元。中投證券研究員袁浩然指出，賽格三星在錯過向液晶電視轉(zhuǎn)型之后，外方股東又選擇退出，賽格三星未來的發(fā)展方向可能不再是顯示行業(yè)。
2009-12-22
賽格三星 甩賣 CRT設(shè)備 還債 顯示行業(yè)
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安森美收購California Micro Devices
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)于14日宣布以每股4.7美元，11日收盤價3.05美元溢價54%，總金額1.08億美元現(xiàn)金收購California Micro Devices，強化手機產(chǎn)品線。
2009-12-21
安森美 CMD 手機
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Gartner：硅晶圓市場將復(fù)蘇 2010年增長23%
市場分析機構(gòu)Gartner表示，09年第三季度，全球?qū)杈A需求環(huán)比增長17% ，2009年對全球硅晶圓需求整體下滑幅度好于之前預(yù)期。但預(yù)計2010年第二季度會開始恢復(fù)穩(wěn)步增長，硅晶圓年度增長率將為23.4%。
2009-12-21
硅晶圓 Gartner 復(fù)蘇
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FXO-LC32 系列：FXO推出新款2.5伏XpressO XO LVDS振蕩器
Fox Electronics 最近推出了 FXO-LC32 系列低壓差分信號 (LVDS) 振蕩器，擴充 XpressO XO LVDS 振蕩器系列。新款2.5伏 XpressO 晶體振蕩器采用更小的 3.2mm x 2.5mm 封裝，穩(wěn)定性高達 ±25ppm，擁有業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括占用空間(footprint)和腳位(pin-out)。
2009-12-21
FXO-LC32 Fox LVDS 振蕩器 XpressO
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第一講 中國新型顯示技術(shù)分析及發(fā)展概述
本節(jié)主要講顯示技術(shù)的前世今生。
2009-12-21
顯示 歷史 發(fā)展 TFT LCD
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AP2101/AP2111：Diodes推出為USB應(yīng)用優(yōu)化的高電流電源開關(guān)
Diodes針對高電流應(yīng)用推出兩款新器件以擴展旗下AP21XX電源開關(guān)產(chǎn)品線。最新的單通道AP2101及AP2111可提供高達2A的連續(xù)輸出電流，且經(jīng)過優(yōu)化，適合自我供電和總線供電USB，以及其他3-5V的熱插拔應(yīng)用。
2009-12-18
AP2101 AP2111 Diodes USB 電流電源開關(guān)
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