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『這個(gè)知識不太冷』探索5G射頻技術(shù)（下）
5G愿景的真正實(shí)現(xiàn)，還需要更多創(chuàng)新。網(wǎng)絡(luò)基站和用戶設(shè)備（例如：手機(jī)） 變得越來越纖薄和小巧，能耗也變得越來越低。為了適合小尺寸設(shè)備，許多射頻應(yīng)用所使用的印刷電路板（PCB）也在不斷減小尺寸。因此，射頻應(yīng)用供應(yīng)商必須開發(fā)新的封裝技術(shù)，盡量減小射頻組件的占位面積。再進(jìn)一步，部分供應(yīng)商開...
2023-11-16
5G 射頻技術(shù)
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如何直觀的理解波導(dǎo)中微波的模式（TE\TM\TEM）？
光的傳播形態(tài)分類：根據(jù)傳播方向上有無電場分量或磁場分量，可分為TE\TM\TEM三類，任何光都可以這三種波的合成形式表示出來。三者可以這樣記憶：橫電磁波就是電和磁都是橫著的，橫電波只有電場是橫的，橫磁波就只有磁場是橫的。
2023-11-16
波導(dǎo) 微波 模式
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什么是去耦電容器？
眾所周知，電容器在電子電路中起到提供局部能量存儲和穩(wěn)定電源電壓的作用。去耦電容器是一種特殊類型的電容器，可對兩個(gè)電路進(jìn)行隔離或去耦。換言之，這類電容器可將交流信號與直流信號去耦，反之亦然1。去耦電容器就像一個(gè)緩沖器，為元件提供清潔穩(wěn)定的電源，從而最大限度地降低故障發(fā)生、噪聲耦合...
2023-11-15
去耦電容器
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連接器如何推動可持續(xù)發(fā)展
可持續(xù)性無疑已經(jīng)成為現(xiàn)代工業(yè)制造領(lǐng)域的焦點(diǎn)議題之一。這不僅要求所使用的材料具有可持續(xù)性，生產(chǎn)流程也不例外?？沙掷m(xù)的流程不僅要求高效，還要通過諸如避免機(jī)器停機(jī)和縮短停機(jī)時(shí)間來節(jié)省資源和成本。此外，員工的工作時(shí)長是生產(chǎn)設(shè)施的寶貴資源之一，而高效的維護(hù)和安裝則是確保這一資源得到最大...
2023-11-14
連接器
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使用分流電阻器增強(qiáng)電流感應(yīng)以提高效率
電力電子集成系統(tǒng)帶來了許多優(yōu)勢，例如提高效率、增強(qiáng)可靠性以及簡化設(shè)計(jì)和組裝。隨著各行業(yè)快速電氣化，對集成系統(tǒng)和模塊的需求不斷增加。碳化硅和氮化鎵晶體管（稱為寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體）等先進(jìn)功率半導(dǎo)體器件的出現(xiàn)，進(jìn)一步推動了對集成解決方案的需求，以實(shí)現(xiàn)性能和成本效益。
2023-11-13
分流電阻器 電流感應(yīng)
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『這個(gè)知識不太冷』探索5G射頻技術(shù)（上）
『這個(gè)知識不太冷』系列，旨在幫助小伙伴們喚醒知識的記憶，將挑選一部分Qorvo劃重點(diǎn)的知識點(diǎn)，結(jié)合產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀解讀，以此溫故知新、查漏補(bǔ)缺。接下來，我們談一談5G射頻。
2023-11-12
5G 射頻技術(shù)
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了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻
分立 MOSFET 數(shù)據(jù)表中重要的規(guī)格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫為 R DS (on)。這個(gè) R DS (on)想法看起來非常簡單：當(dāng) FET 處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設(shè)電流為零。當(dāng) FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過閾值電壓 (V TH ) 時(shí)，它處于“導(dǎo)通狀態(tài)”，漏極和源極通過電阻等于 R DS(on)...
2023-11-11
MOSFET 通態(tài)漏源電阻
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中國電信韋樂平：光通信發(fā)展的新趨勢思考
近日，在“中國電信戰(zhàn)新共鏈行動大會暨第三屆科技節(jié)”之“面向云網(wǎng)融合的下一代光網(wǎng)絡(luò)新技術(shù)論壇”上，中國電信集團(tuán)科技委主任韋樂平發(fā)表主題演講。
2023-11-11
中國電信 光通信 趨勢
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利用開放式RAN網(wǎng)絡(luò)解決時(shí)間難題
網(wǎng)絡(luò)中的各個(gè)元素必須符合特定的頻率、相位和時(shí)間要求，以確保網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)正確的端到端運(yùn)行。由O-RAN聯(lián)盟定義的同步架構(gòu)決定了開放式RAN設(shè)備將如何滿足這些要求。
2023-11-10
RAN 網(wǎng)絡(luò) Microchip
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