產(chǎn)品特性：
- 電壓范圍從40V至200V
- 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，材料環(huán)保不含鉛
- 在5000次溫度循環(huán)時(shí)的最大導(dǎo)通電阻變化不到10%
應(yīng)用范圍：
- 電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī)泵和電機(jī)控制
- 內(nèi)燃機(jī)和混合動(dòng)力汽車(chē)平臺(tái)上的其它重載應(yīng)用
IR近日推出車(chē)用MOSFET系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻(Rds(on)) ，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī)(ISA)泵和電機(jī)控制，以及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力汽車(chē)平臺(tái)上的其它重載應(yīng)用。
全新溝道HEXFET功率MOSFET系列采用多款表面貼裝器件(SMD)封裝，電壓范圍從40V至200V。標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平柵級(jí)驅(qū)動(dòng)MOSFET都為IR車(chē)用塑料封裝MOSFET產(chǎn)品系列設(shè)定了導(dǎo)通電阻性能新標(biāo)準(zhǔn)?；鶞?zhǔn)導(dǎo)通電阻在40V下最大為1.25毫歐，60V下最大為2.1毫歐，75V下為2.6毫歐，100V下為4.0毫歐。在D2Pak-7P封裝中許多器件的最大額定電流達(dá)240A。
IR亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“IR全新車(chē)用溝道MOSFET系列可在下一代汽車(chē)應(yīng)用，包括集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī)和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能。”
所有IR車(chē)用MOSFET產(chǎn)品都遵循IR要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念，并經(jīng)過(guò)了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測(cè)試及100%自動(dòng)晶圓級(jí)目視檢查。AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)要求器件在經(jīng)過(guò)1, 000次溫度循環(huán)測(cè)試后，導(dǎo)通電阻變化幅度不能超過(guò)20%。然而，經(jīng)過(guò)延長(zhǎng)測(cè)試后，IR的新款A(yù)U物料單在5,000次溫度循環(huán)時(shí)的最大導(dǎo)通電阻變化不到10%，體現(xiàn)了該物料單的高強(qiáng)度和耐用性。
新器件符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，所采用的材料環(huán)保，不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
