【導讀】飛兆半導體的40V PowerTrench MOSFET,在動力轉(zhuǎn)向應(yīng)用中的功率控制更強、效率更高，該器件具有最低的導通電阻和較低的柵極電荷，可降低功耗，因此非常適合電動助力轉(zhuǎn)向、懸架控制和傳動系管理等應(yīng)用。
汽車動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench MOSFET可幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。
圖題：飛兆半導體的40V PowerTrench MOSFET
FDB9403利用飛兆半導體的屏蔽柵極技術(shù)，改進了電阻并降低了電容。 該器件的RDS(ON) 比其最直接競爭對手低20%，并具有較低的Qg值，可降低功耗并最終提高總體效率。 FDB9403 MOSFET作為用于電流控制的基本開關(guān)，可有效控制電能而不將其浪費，因此非常適合電動助力轉(zhuǎn)向、懸架控制和傳動系管理等應(yīng)用。
特色及優(yōu)勢：
RDS(ON)典型值 = 1m?（VGS = 10V，ID = 80A時），可降低功耗以實現(xiàn) 更高的效率
Qg(tot)典型值= 164nC（VGS = 10V，ID = 80A時），可降低功耗以實現(xiàn)更高的效率
UIS能力
符合RoHS標準且通過AEC Q101認證
封裝和定價信息（1000片起訂，價格單位：美元）
按請求提供樣品。交貨期：收到訂單后8-12周內(nèi)
采用D2PAK TO-263AB封裝，F(xiàn)DB9403的定價為2.48美元
