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ADALM2000實(shí)驗(yàn)：CMOS邏輯電路、傳輸門(mén)XOR
本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是進(jìn)一步強(qiáng)化上一個(gè)實(shí)驗(yàn)活動(dòng) “使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能” 中探討的CMOS邏輯基本原理，并獲取更多使用復(fù)雜CMOS門(mén)級(jí)電路的經(jīng)驗(yàn)。具體而言，您將了解如何使用CMOS傳輸門(mén)和CMOS反相器來(lái)構(gòu)建傳輸門(mén)異或(XOR)和異或非邏輯功能。
2023-01-06
CMOS 邏輯電路 傳輸門(mén)XOR
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安森美的主驅(qū)逆變器碳化硅功率模塊被現(xiàn)代汽車(chē)選中用于高性能電動(dòng)汽車(chē)
2023年1月5日 —領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）功率模塊已被起亞（Kia Corporation）選中用于EV6 GT車(chē)型。這款電動(dòng)汽車(chē)（EV）從零速加速到60英里/小時(shí)只需3.4秒，最高時(shí)速達(dá)161英里/小時(shí)。在該高性能電動(dòng)汽車(chē)的主...
2023-01-05
安森美 功率模塊 電動(dòng)汽車(chē)
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)選型及供電設(shè)計(jì)要點(diǎn)
新能源汽車(chē)動(dòng)力域高壓化、小型化、輕型化是大勢(shì)所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓?fù)渚哂懈叩拈_(kāi)關(guān)頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn)，更適合車(chē)載充電機(jī)OBC、直流變換器 DC/DC、電機(jī)控制器等應(yīng)用場(chǎng)景高頻驅(qū)動(dòng)和...
2023-01-05
SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)選型 供電設(shè)計(jì)
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先進(jìn)吊扇電子控制方案
采用吊扇調(diào)節(jié)空氣溫度和環(huán)境舒適性仍然是眾多國(guó)家居民和公共場(chǎng)合使用的手段，這和全球地理環(huán)境和社會(huì)發(fā)展有關(guān)。即使發(fā)達(dá)地區(qū)，風(fēng)扇結(jié)合藝術(shù)創(chuàng)新，也成為對(duì)傳統(tǒng)生活習(xí)慣的追憶和對(duì)生活環(huán)境的美化。電子技術(shù)發(fā)展到今天，吊扇的造型、材質(zhì)、電機(jī)、控制都已經(jīng)上升到新的層次。吊扇的控制已經(jīng)從簡(jiǎn)單的開(kāi)...
2023-01-05
吊扇電子 控制方案
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電動(dòng)車(chē)直流充電基礎(chǔ)設(shè)施如何實(shí)現(xiàn)快速充電？
盡管電動(dòng)車(chē) (EV) 起步發(fā)展略顯緩慢，但市場(chǎng)接受度在不斷提高，發(fā)展速度也在不斷加快。限制EV使用的一個(gè)關(guān)鍵因素是充電點(diǎn)的相對(duì)缺乏，特別是可用于“旅途中”充電的快速充電點(diǎn)。從某些方面講，就是“先有雞還是先有蛋”的問(wèn)題，因?yàn)樵谟酶嗟某潆婞c(diǎn)克服“里程焦慮”之前，EV的銷(xiāo)售是有限的，而在更多的EV...
2023-01-05
電動(dòng)車(chē) 直流充電 基礎(chǔ)設(shè)施
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敏捷的長(zhǎng)期主義者：創(chuàng)實(shí)技術(shù)展望2023半導(dǎo)體供應(yīng)鏈邏輯
從2020年疫情催生宅經(jīng)濟(jì)帶動(dòng)消費(fèi)電子需求激增，到2021年半導(dǎo)體行業(yè)由于芯片短缺迎來(lái)的恐慌囤貨及擴(kuò)產(chǎn)等連鎖效應(yīng)，再到2022年俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)爆發(fā)、石油、天然氣等大宗交易品價(jià)格攀升，上游材料成本上漲，全球通脹加劇，消費(fèi)電子需求急速下滑，芯片行業(yè)庫(kù)存堆積同時(shí)伴隨結(jié)構(gòu)性缺貨嚴(yán)重。后疫情時(shí)代全球經(jīng)濟(jì)...
2023-01-04
創(chuàng)實(shí)技術(shù) 半導(dǎo)體 供應(yīng)鏈
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基于FPGA的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)或數(shù)模轉(zhuǎn)換器
選擇時(shí)首先要確定轉(zhuǎn)換信號(hào)所需的采樣頻率。這個(gè)參數(shù)不僅將影響轉(zhuǎn)換器的選擇，同時(shí)也會(huì)影響對(duì)FPGA的選擇，這樣才能確保器件能夠滿足所需的處理速度及邏輯封裝要求。轉(zhuǎn)換器的采樣頻率至少為信號(hào)采樣頻率的2倍。因此，如果信號(hào)的采樣頻率為50MHz，則轉(zhuǎn)換器采樣頻率至少應(yīng)為100MHz。
2023-01-04
FPGA 模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC) 數(shù)模轉(zhuǎn)換器
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Si對(duì)比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實(shí)現(xiàn)更高的效率水平，但有時(shí)難以輕易決定這項(xiàng)技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標(biāo)準(zhǔn)因素。
2023-01-04
Si SiC MOSFET
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專(zhuān)為工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的MOSFET—TOLT封裝
近年來(lái)，工業(yè)應(yīng)用對(duì)MOSFET 的需求越來(lái)越高。從機(jī)械解決方案和更苛刻的應(yīng)用條件都要求半導(dǎo)體制造商開(kāi)發(fā)出新的封裝方案和實(shí)施技術(shù)改進(jìn)。從最初的通孔封裝（插件）到 DPAK 或 D2PAK 等表面貼裝器件 (SMD)，再到最新的無(wú)引腳封裝，以及內(nèi)部硅技術(shù)的顯著改進(jìn)，MOSFET 解決方案正在不斷發(fā)展，以更好地滿足...
2023-01-03
工業(yè)應(yīng)用 MOSFET TOLT封裝
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