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高性能電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的同步整流技術(shù)
使用MOSFET來替代常用二極管實(shí)現(xiàn)的整流功能。SR提高了效率、熱性能、功率密度、可制造性和可靠性，并可降低整個(gè)系統(tǒng)的電源系統(tǒng)成本。本文將介紹SR的優(yōu)點(diǎn)，并討論在其實(shí)現(xiàn)中遇到的挑戰(zhàn)
2009-08-10
同步整流 開關(guān)損耗 SR
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中美LED論壇在深圳隆重召開
2009年7月31日，旨在促進(jìn)中美兩國(guó)LED產(chǎn)業(yè)界學(xué)術(shù)交流和企業(yè)合作的 “中美LED技術(shù)與合作論壇”在深圳大學(xué)城隆重召開。該論壇由高工LED網(wǎng)（高工在線旗下網(wǎng)站）、美國(guó)加州照明技術(shù)中心（CLTC）、照明節(jié)能中心（籌）（北京大學(xué)深圳研究生院環(huán)境與能源學(xué)院）聯(lián)合主辦，由LED產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、香港應(yīng)用科技研究院、...
2009-08-08
LED LED產(chǎn)業(yè) 中美LED論壇 中美LED技術(shù)與合作論壇 照明
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培養(yǎng)中國(guó)LED技術(shù)人才，緩解中國(guó)LED教育滯后局面（圖）
2009年8月1-2日，由高工LED網(wǎng)（高工在線旗下網(wǎng)站）、美國(guó)加州照明技術(shù)中心（CLTC）、照明節(jié)能中心（籌）聯(lián)合主辦的“LED照明技術(shù)高級(jí)研討培訓(xùn)班”在深圳大學(xué)城北大校區(qū)舉行，并取得了圓滿成功。共有102名學(xué)員參加了本次培訓(xùn)班的學(xué)習(xí)，學(xué)員主要是來自LED企業(yè)的總經(jīng)理、技術(shù)總監(jiān)、研發(fā)工程師、設(shè)計(jì)工程...
2009-08-07
LED技術(shù) 人才 中國(guó)LED教育 LED LED照明技術(shù) 培訓(xùn)班
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開關(guān)變壓器第十四講 分布電容分析
當(dāng)輸入脈沖電壓的上升或下降率大于振蕩波形的上升或下降率的時(shí)候，振蕩回路就吸收能量，使輸入脈沖波形的前、后沿都變差；而當(dāng)輸入脈沖電壓的上升或下降率小于振蕩波形的上升或下降率的時(shí)候，振蕩回路就會(huì)釋放能量，使電路產(chǎn)生振蕩。如果振蕩回路的品質(zhì)因數(shù)比較高，電路就會(huì)產(chǎn)生寄生振蕩，并產(chǎn)生EMI...
2009-08-07
開關(guān)變壓器
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MSE1Px：Vishay具有高達(dá)25kV的ESD小尺寸整流器
日前，Vishay宣布，推出ESD保護(hù)高達(dá)25kV的系列低尺寸表面貼裝整流器 --- MSE1Px。
2009-08-06
整流器 MSE1Px Vishay ESD
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振蕩器特點(diǎn)分析
振蕩器使用特點(diǎn)與制造工藝分析
2009-08-06
振蕩器 石英音叉
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振動(dòng)馬達(dá)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)電路
振動(dòng)馬達(dá)用于各種應(yīng)用中，包括手機(jī)、游戲操縱桿、手持游戲機(jī)、尋呼機(jī)、牙刷及剔須刀等。本文介紹振動(dòng)馬達(dá)的結(jié)構(gòu)，工作狀態(tài)
2009-08-04
振動(dòng)馬達(dá) 柱型馬達(dá) A1442BLDC A1442
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開關(guān)變壓器第十三講 開關(guān)變壓器漏感分析
任何變壓器都存在漏感，但開關(guān)變壓器的漏感對(duì)開關(guān)電源性能指標(biāo)的影響特別重要。由于開關(guān)變壓器漏感的存在，當(dāng)控制開關(guān)斷開的瞬間會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)，容易把開關(guān)器件過壓擊穿；漏感還可以與電路中的分布電容以及變壓器線圈的分布電容組成振蕩回路，使電路產(chǎn)生振蕩并向外輻射電磁能量，造成電磁干擾。因...
2009-08-03
變壓器
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Vishay推出三款采用不同封裝的的500V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新型500V電壓的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，將該公司的6.2代N溝道平面FET技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封裝上。
2009-08-03
SiHP18N50C SiHF18N50C SiHG20N50C MOSFET 分立器件 Vishay
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術(shù)博弈
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