【導(dǎo)讀】反激開關(guān)管中的波形問題一直是電源工程師關(guān)注的焦點(diǎn)，尤以Vds電壓尖峰問題為最。電源工程師在進(jìn)行電源測(cè)試時(shí)會(huì)遇到尖峰波形，即便采取相應(yīng)措施也不可避免。本文主要對(duì)反激開關(guān)管進(jìn)行定性分析，采取降低尖峰的一系列措施。
很多初學(xué)者往往希望通過公式計(jì)算來影響和避免尖峰波形，但因?yàn)樵趯?shí)際電路中影響的因素非常廣泛，而且每個(gè)電源都有不同的設(shè)計(jì)問題，因此我們這里提供的是一種調(diào)試方向。
下面的示意圖對(duì)解決反激開關(guān)管的Vds電壓尖峰問題有幫助。首先來看看MOS應(yīng)力公式：(理想化處理，不影響結(jié)論)Vds=Vin+n*Vo+Vspike=Vin+n*Vo+Ipk*(Lk/C1)0.5
這里兩個(gè)主要參數(shù)的意義：Lk是變壓器漏感(實(shí)際還應(yīng)包含PCB寄生電感)；C1為RCD鉗位電容(實(shí)際還應(yīng)包含MOS DS兩端的電容，一般遠(yuǎn)小于C1，故忽略)。見下圖：
如果圖中采用的方法還解決不掉，就需要更加細(xì)化，可以采用以下幾個(gè)整改方向：
1、layout走線優(yōu)化(功率回路盡量短，使PCB電感盡量?。煌瑫r(shí)也注意RCD的走線，這里除了會(huì)影響尖峰，也會(huì)影響傳導(dǎo)的高頻段和輻射)；
2、調(diào)整RCD中的D；(需要重新確認(rèn)效率、傳導(dǎo)、輻射)
3、調(diào)整RCD中的R；(需要重新確認(rèn)效率、傳導(dǎo)、輻射)
4、一般Rsense到IC CS pin都有個(gè)RC，調(diào)整RC時(shí)間常數(shù)；(需要重新確認(rèn)過功率點(diǎn))
5、調(diào)整副邊二極管的吸收參數(shù)。(需要重新確認(rèn)效率、傳導(dǎo)、輻射)
圖一中的方法加上以上的5鐘方法，基本上可以解決所有電壓尖峰問題。對(duì)于反激的大部分應(yīng)用，用600V的MOS就夠了。當(dāng)然了，有特殊要求，如有較大裕量要求的，可能就要用更高耐壓的MOS了，但一般對(duì)效率不利。
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