【導(dǎo)讀】憶阻器英文名為memristor, 用符號(hào)M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無(wú)源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時(shí)具備電阻和存儲(chǔ)的性能，是一種新一代高速存儲(chǔ)單元，通常稱(chēng)為阻變存儲(chǔ)器（RRAM）。
【未來(lái)可測(cè)】系列之二：憶阻器單元基礎(chǔ)研究和性能研究測(cè)試方案
憶阻器英文名為memristor, 用符號(hào)M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無(wú)源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時(shí)具備電阻和存儲(chǔ)的性能，是一種新一代高速存儲(chǔ)單元，通常稱(chēng)為阻變存儲(chǔ)器（RRAM）。
憶阻器備受關(guān)注的重要應(yīng)用領(lǐng)域包括：非易失存儲(chǔ)（Nonvolatile memory），邏輯運(yùn)算（Logic computing），以及類(lèi)腦神經(jīng)形態(tài)計(jì)算（Brain-inspired neuromorphic computing）等。這三種截然不同又相互關(guān)聯(lián)的技術(shù)路線，為發(fā)展信息存儲(chǔ)與處理融合的新型計(jì)算體系架構(gòu)，突破傳統(tǒng)馮?諾伊曼架構(gòu)瓶頸，提供了可行的路線。
在憶阻器研究不斷取得新成果的同時(shí)，基于憶阻器的多功能耦合器件也成為研究人員關(guān)注的熱點(diǎn)。這些新型耦合器件包括：磁耦合器件、光耦合器件、超導(dǎo)耦合器件、相變憶阻器件、鐵電耦合器件等。
（一）憶阻器基礎(chǔ)研究測(cè)試
憶阻器研究可分為基礎(chǔ)研究、性能研究以及集成研究三個(gè)階段，此研究方法對(duì)阻變存儲(chǔ)器（RRAM）、相變存儲(chǔ)器（PCM）和鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）均適用。憶阻器基礎(chǔ)研究階段主要研究憶阻器材料體系和物理機(jī)制，以及對(duì)憶阻器器參數(shù)進(jìn)行表征，并通過(guò)捏滯回線對(duì)憶阻器進(jìn)行分類(lèi)。憶阻器基礎(chǔ)研究測(cè)試包括：直流特性、交流特性及脈沖特性測(cè)試。
憶阻器直流特性測(cè)試通常與Forming結(jié)合，主要測(cè)試憶阻器直流V-I曲線，并以此推算SET/RESET 電壓/電流、HRS、LRS等憶阻器重要參數(shù)，可以進(jìn)行單向掃描或雙向掃描。憶阻器交流特性主要進(jìn)行捏滯回線的測(cè)試，捏滯回線是鑒別憶阻器類(lèi)型的關(guān)鍵。憶阻器脈沖測(cè)試能有效地減小直流測(cè)試積累的焦耳熱的影響，同時(shí)，也可以用來(lái)研究熱量對(duì)器件性能的影響。由于憶阻器表征技術(shù)正向極端化發(fā)展，皮秒級(jí)脈沖擦寫(xiě)及信號(hào)捕捉的需求日益強(qiáng)烈。
泰克憶阻器基礎(chǔ)研究測(cè)試方案
高性?xún)r(jià)比測(cè)試方案
極端化表征測(cè)試方案
泰克方案特色：
?多種不同的配置方案，滿(mǎn)足不同的客戶(hù)需求
?泰克中國(guó)具有本地研發(fā)團(tuán)隊(duì)，滿(mǎn)足客戶(hù)定制化的測(cè)試需求
?泰克合作伙伴提供全部硬件系統(tǒng)集成
?多家領(lǐng)先的憶阻器研發(fā)單位采用泰克測(cè)試方案
（二）憶阻器性能研究測(cè)試
憶阻器性能研究測(cè)試流程如下：
非易失存儲(chǔ)器性能研究是通過(guò)測(cè)試憶阻器的循環(huán)次數(shù)或耐久力（Endurance）和數(shù)據(jù)保留時(shí)間（Data Retention）來(lái)實(shí)現(xiàn)。在循環(huán)次數(shù)和耐久力測(cè)試中，電阻測(cè)試通常由帶脈沖功能的半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀完成，由于被測(cè)樣品數(shù)量多，耗時(shí)長(zhǎng)，需要編程進(jìn)行自動(dòng)化測(cè)試。極端化表征情況下，SET/ RESET 脈沖由高速任意波發(fā)生器產(chǎn)生。
如果憶阻器被用于神經(jīng)元方面的研究，其性能測(cè)試除了擦寫(xiě)次數(shù)和數(shù)據(jù)保留時(shí)間外，還需要進(jìn)行神經(jīng)突觸阻變動(dòng)力學(xué)測(cè)試。突觸可塑性是大腦記憶和學(xué)習(xí)的神經(jīng)生物學(xué)基礎(chǔ)，有很多種形式。按記憶的時(shí)間長(zhǎng)短可分為短時(shí)程可塑性 (STP)和長(zhǎng)時(shí)程可塑性 (LTP)，其中短時(shí)程可塑性包括雙脈沖抑制 (PPD)、雙脈沖易化 (PPF)、強(qiáng)直后增強(qiáng) (PTP)。此外還有一些其他的可塑性, 如: 放電速率依賴(lài)可塑性 (SRDP)、放電時(shí)間依賴(lài)可塑性 (STDP)等，它們是突觸進(jìn)行神經(jīng)信號(hào)處理、神經(jīng)計(jì)算的基礎(chǔ)。
憶阻器的導(dǎo)電態(tài)可以用來(lái)表示突觸權(quán)重的變化，通過(guò)改變刺激脈沖電壓的形狀、頻率、持續(xù)時(shí)間等參數(shù)來(lái)模擬不同突觸功能相應(yīng)的神經(jīng)刺激信號(hào)的特點(diǎn)，測(cè)量瞬態(tài)電流可以了解阻變動(dòng)力學(xué)過(guò)程，獲得神經(jīng)形態(tài)特性的調(diào)控方法。同循環(huán)次數(shù)和耐久力測(cè)試相同，需要對(duì)帶脈沖功能的半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀或高速任意波發(fā)生器編程產(chǎn)生相應(yīng)的脈沖序列，進(jìn)行自動(dòng)化測(cè)試。
泰克憶阻器性能研究測(cè)試方案
泰克方案特色：
?多種不同的配置方案，滿(mǎn)足極端化表證測(cè)試需求
?高性?xún)r(jià)比方案可升級(jí)為低維陣列測(cè)試方案
?泰克中國(guó)具有本地研發(fā)團(tuán)隊(duì)，滿(mǎn)足客戶(hù)定制化的的測(cè)試需求
?多家領(lǐng)先的憶阻器研發(fā)單位采用泰克測(cè)試方案
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