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什么是射頻衰減器？如何為我的應(yīng)用選擇合適的RF衰減器？
本文延續(xù)之前的一系列短文，面向非射頻工程師講解射頻技術(shù)；我們將探討IC衰減器，并針對(duì)其類型、配置和規(guī)格提出一些見解。本文旨在幫助工程師更快了解各種IC產(chǎn)品，并為終端應(yīng)用選擇合適的產(chǎn)品。該系列的相關(guān)文章包括："為應(yīng)用選擇合適的RF放大器指南"、"如何輕松選擇合適的頻率產(chǎn)生器件"和"RF解密–...
2022-09-28
RF 衰減器 終端應(yīng)用
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多波束相控陣接收機(jī)混合波束成型功耗優(yōu)勢(shì)的定量分析
本文對(duì)模擬、數(shù)字和混合波束成型架構(gòu)的能效比進(jìn)行了比較，并針對(duì)接收相控陣開發(fā)了這三種架構(gòu)的功耗的詳細(xì)方程模型。該模型清楚說明了各種器件對(duì)總功耗的貢獻(xiàn)，以及功耗如何隨陣列的各種參數(shù)而變化。對(duì)不同陣列架構(gòu)的功耗/波束帶寬積的比較表明，對(duì)于具有大量元件的毫米波相控陣，混合方法具有優(yōu)勢(shì)。
2022-09-28
相控陣 接收機(jī) 波束成型
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LOTO示波器 實(shí)測(cè)開環(huán)增益頻響曲線／電源環(huán)路響應(yīng)穩(wěn)定性
一般我們用的電源系統(tǒng)/控制系統(tǒng)或者信號(hào)處理系統(tǒng)都可以簡單理解成負(fù)反饋控制系統(tǒng)。最典型的，運(yùn)放組成的信號(hào)放大電路就是這樣的系統(tǒng)。本文以最簡單的運(yùn)放信號(hào)放大電路為例，演示如何使用LOTO示波器測(cè)量控制系統(tǒng)的開環(huán)增益頻響曲線，以及演示電源的環(huán)路響應(yīng)穩(wěn)定性測(cè)試。
2022-09-26
LOTO示波器 開環(huán)增益頻響曲線 電源環(huán)路
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混合波束賦形接收機(jī)動(dòng)態(tài)范圍—從理論到實(shí)踐
本文介紹了相控陣混合波束賦形架構(gòu)中接收機(jī)動(dòng)態(tài)范圍指標(biāo)的測(cè)量與分析的比較。測(cè)量使用市售32通道開發(fā)平臺(tái)進(jìn)行驗(yàn)證分析。本文回顧了子陣列波束賦形接收機(jī)的分析，重點(diǎn)是處理模擬子陣列中信號(hào)合并點(diǎn)處的信號(hào)增益與噪聲增益之間的差異。本文分析了開發(fā)平臺(tái)接收機(jī)性能，并與測(cè)量結(jié)果進(jìn)行了比較。最后討...
2022-09-26
波束賦形 接收機(jī) 動(dòng)態(tài)范圍
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整流電容濾波負(fù)載實(shí)例
六期連載，整流電路AC/DC變換應(yīng)用非常廣泛，其中二極管整流在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中是主流的方案，而且功率范圍很廣，所以了解二極管整流工程設(shè)計(jì)非常重要。
2022-09-23
整流 電容濾波 負(fù)載
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功率放大器模塊及其在5G設(shè)計(jì)中的作用
許多射頻設(shè)計(jì)人員都對(duì) Franklin Douglass 的名言深有同感：“沒有斗爭就沒有進(jìn)步?！痹跒?5G 進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，尤其如此?？萍加型淖儫o線通信，但也會(huì)帶來設(shè)計(jì)難題。利用功率放大器模塊 (PAM) 來化解。以下是你需要知道的一切。
2022-09-23
功率放大器 模塊 5G
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整流電容濾波負(fù)載原理——看似簡單的整流電路詳解（四）
六期連載，整流電路AC/DC變換應(yīng)用非常廣泛，其中二極管整流在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中是主流的方案，而且功率范圍很廣，所以了解二極管整流工程設(shè)計(jì)非常重要。
2022-09-16
整流 電容濾波 原理
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讓數(shù)字預(yù)失真的故障排除和微調(diào)不再難 必備攻略請(qǐng)查收
本文介紹ADI ADRV9002的數(shù)字預(yù)失真(DPD)功能。所用的一些調(diào)試技術(shù)也可應(yīng)用于一般DPD系統(tǒng)。首先，概述關(guān)于DPD的背景信息，以及用戶試驗(yàn)其系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到的一些典型問題。最后，文章介紹在DPD軟件工具幫助下可應(yīng)用于DPD算法以分析性能的調(diào)優(yōu)策略。
2022-09-16
數(shù)字預(yù)失真 ADI ADRV9002
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GaN HEMT 大信號(hào)模型
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對(duì) LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8 W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數(shù)的非線性與信號(hào)電平、熱效應(yīng)和環(huán)境條件之間存在復(fù)雜的依賴關(guān)系。這...
2022-09-15
GaN HEMT 功率放大器
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