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應(yīng)用于線性區(qū)功率MOSFET：di/dt和dv/dt分開控制方法
以下將本文介紹的di/dt、dV/dt分開單獨控制方法，不僅適用于負(fù)載開關(guān)，還廣泛用于電機(jī)控制功率MOSFET或IGBT驅(qū)動電路。
2018-12-29
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解析三菱電機(jī)6.5kV全SiC功率模塊
本文介紹了6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣特性，相對于傳統(tǒng)的Si IGBT模塊、傳統(tǒng)全SiC MOSFET功率模塊，新型全SiC MOSFET功率模塊在靜態(tài)特性、動態(tài)特性和損耗方面優(yōu)勢明顯。
2018-09-14
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負(fù)電壓電源設(shè)計的種類
各位工程師在設(shè)計電路時，可能會遇到需要負(fù)電壓供電的系統(tǒng)，例如使用負(fù)電壓為IGBT提供關(guān)斷負(fù)電壓、運放系統(tǒng)中用正負(fù)對稱的偏置電壓供電。那么該如何產(chǎn)生一個穩(wěn)定可靠的負(fù)電壓呢？本文將為你介紹不同的解決方案。
2018-09-07
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如何借助雪崩二極管提供過壓保護(hù)？
當(dāng)IGBT在高性能應(yīng)用中高速接通和斷開時，總會發(fā)生過壓。例如，當(dāng)關(guān)閉負(fù)載電流電路時，集電極發(fā)射極電壓突然上升，達(dá)到非常高的峰值。由開關(guān)引起的過電壓會嚴(yán)重?fù)p壞甚至破壞開關(guān)晶體管。
2018-08-01
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【揭秘】隔離式柵極驅(qū)動器
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極和發(fā)射極。
2018-07-24
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堪稱工業(yè)中的“CPU”：IGBT，中外差距有多大
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點，如驅(qū)動功率小和飽和壓降低等。
2018-07-18
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詳解MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別
本文將對一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_關(guān)損耗，并對電路和器件特性相關(guān)的三個主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?/p>
2018-07-13
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英飛凌TRENCHSTOP IGBT6將緊湊型電機(jī)控制器總損耗減少20%以上
電機(jī)作為智能家電的核心部件，對現(xiàn)代生活有著至關(guān)重要的影響。在家庭電能消耗比例中，電機(jī)耗電占家庭耗能20%以上，因此電機(jī)節(jié)能成為家庭節(jié)能中最為關(guān)注的問題。在各式家電應(yīng)用中，如家電風(fēng)機(jī)、壓縮機(jī)、水泵、洗衣機(jī)、洗碗機(jī)、商業(yè)縫紉機(jī)和吸塵器等，電機(jī)控制器的功率高達(dá)1KW，且要求產(chǎn)品高效率、高可靠性和長壽命！這些緊湊型電機(jī)控制器均要求器件必須具有低損耗且好的熱特性。貝能國際力推英飛凌高效電機(jī)驅(qū)動解決方案，基于TRENCHSTOP? IGBT6將緊湊型電機(jī)控制器總損耗減少20%以上。
2018-06-13
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光伏逆變器電感元件及其技術(shù)趨勢
全控型逆變器工作原理：為通常使用的單相輸出的全橋逆變主電路，交流元件采用IGBT管Q11、Q12、Q13、Q14。并由PWM脈寬調(diào)制控制IGBT管的導(dǎo)通或截止。
2018-05-31
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高效能IGBT為高功率應(yīng)用加把勁
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見的器件，可用于交流電的電機(jī)控制輸出。由安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）所推出的TO247-4L IGBT將可為相關(guān)應(yīng)用提供更高的效能與更佳的成本效益，究竟它是如何辦到的？讓我們來進(jìn)一步深入了解。
2018-05-09
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解析高壓IGBT模塊在濕度影響下的壽命預(yù)估模型
本文介紹了高壓IGBT模塊在濕度影響下的壽命預(yù)估模型。此模型涉及的濕度加速因子是從溫濕偏置試驗中提取的；高壓IGBT的溫濕偏置試驗在不同的濕度和不同的電壓下進(jìn)行測試，目的是為了找出濕度和電壓對高壓IGBT壽命的影響。最終，我們把濕度和電壓對高壓IGBT壽命的影響以及溫度因數(shù)都集成到壽命預(yù)估模型中。通過試驗，我們同時發(fā)現(xiàn)濕度對高壓IGBT模塊的壽命有很大影響。
2018-03-14
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集成分流器的EconoDUAL 3 IGBT模塊有助于降低系統(tǒng)成本
英飛凌科技股份公司將EconoDUAL? 3模塊集成度提升到一個全新水平：通過集成分流電阻，在交流路徑上進(jìn)行電流監(jiān)測。這些器件的應(yīng)用有助于逆變器制造商降低成本、提高性能并簡化設(shè)計。集成分流器的EconoDUAL 3模塊可廣泛用于多種應(yīng)用領(lǐng)域，如通用變頻器、不間斷電源和太陽能逆變器等。另外，也非常適合用于電動農(nóng)業(yè)和商用車輛及電動客車。
2018-02-24
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術(shù)博弈
- 2025機(jī)器人+應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)鏈新一輪加速發(fā)展藍(lán)皮書》電子版限免下載！
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