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美光攜手聯(lián)想、聯(lián)寶科技成立聯(lián)合實驗室，加速開發(fā)下一代PC和筆記本電腦
2021年 1 月 25 日，中國上海 — 內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU) 今日宣布攜手聯(lián)想及聯(lián)寶科技 (聯(lián)想旗下最大的制造和研發(fā)機構(gòu)) 成立聯(lián)合實驗室。該實驗室是內(nèi)存和存儲業(yè)界首家同時聯(lián)合原始設(shè)計制造商 (ODM) 及原始設(shè)備制造商 (OEM) 的聯(lián)合實驗室。這種獨特的三方合作模式將加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿創(chuàng)新技術(shù) (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在聯(lián)想產(chǎn)品設(shè)計中的應(yīng)用，從而更好地滿足用戶的核心工作負(fù)載需求。
2021-01-27
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淺談存儲器芯片封裝技術(shù)的挑戰(zhàn)
存儲器想必大家已經(jīng)非常熟悉了，大到物聯(lián)網(wǎng)服務(wù)器終端，小到我們?nèi)粘?yīng)用的手機、電腦等電子設(shè)備，都離不開它。作為計算機的“記憶”裝置，其主要功能是存放程序和數(shù)據(jù)。一般來說，存儲器可分為兩類：易失性存儲器和非易失性存儲器。其中，“易失性存儲器”是指斷電以后，內(nèi)存信息流失的存儲器，例如DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器），包括電腦中的內(nèi)存條。
2020-12-10
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快速的DDR4 SDRAM開創(chuàng)宇航新時代
為了發(fā)掘宇航市場的潛力，衛(wèi)星運營商正通過提供增值服務(wù)，如超高分辨率成像、流媒體視頻直播和星上人工智能，提升星上處理的能力以減少下行鏈路的需求。從2019年到2024年，高吞吐量載荷的市場需求預(yù)計增長12倍，帶寬增加至26500 Gbps。
2020-11-13
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AntMicro開源DRAM控制器添加對RPC DRAM的支持
物聯(lián)網(wǎng)是從半導(dǎo)體技術(shù)的小型化中受益匪淺的領(lǐng)域之一，因為更多的計算能力可以被封裝到越來越小的設(shè)備中。由于體積縮小、功耗降低，各種設(shè)備（包括支持人工智能的設(shè)備）的應(yīng)用方式在幾年前是不可能實現(xiàn)的。這一領(lǐng)域最令人興奮的發(fā)展之一是RPC（reduced pin count）DRAM的出現(xiàn)，這是一種小尺寸的存儲器，Antmicro已經(jīng)開發(fā)了對開源內(nèi)存控制器LiteDRAM的支持。
2020-11-05
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【科普小課堂】工業(yè)級VS消費級，一文讀懂存儲小秘密
面對眾多類型的高性能存儲產(chǎn)品時，你是否曾有過“選擇困難”？遇到DRAM、存儲卡和固態(tài)硬盤時，你是否也曾傻傻分不清楚？沒關(guān)系，以后你不必再為此苦惱。
2020-07-13
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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別
從20nm技術(shù)節(jié)點開始，漏電流一直都是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設(shè)計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常，DRAM設(shè)計中漏電流造成的問題也會導(dǎo)致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設(shè)計中至關(guān)重要的一個考慮因素。
2020-04-08
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DRAMless并非永遠(yuǎn)代表低預(yù)算
閃存控制器的設(shè)計要么具有外部 DRAM（動態(tài)隨機存取內(nèi)存）接口，要么就沒有具備。一旦部署在其應(yīng)用程序中，像是SSD和其他閃存設(shè)備（如USB磁盤驅(qū)動器）中，具有DRAM的設(shè)備通常可以提供較高的性能。這通常是隨機性能。
2020-02-13
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路由器主板布局布線的幾個坑，你踩過嗎？
路由器是家家戶戶的必備品，其主板包含了USB、LAN、SDRAM、2.4G、WIFI等模塊，這些模塊當(dāng)中涉及的的點有RF、USB Differential、ESD、WIFI、50歐姆阻抗、90歐姆阻抗等等，今天就路由器布局布線需要注意的點做個簡單的探討。
2019-07-25
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這款高效又緊湊的電源解決方案，用過的設(shè)計師們都說好
系統(tǒng)設(shè)計人員被要求生產(chǎn)更小、效率更高的電源解決方案，以滿足所有行業(yè)SoC和FPGA的高耗電需求。在先進(jìn)的電子系統(tǒng)中，因為電源必須放在SoC或其外圍設(shè)備（如DRAM或I/O設(shè)備）附近，因此電源封裝的可占用空間至關(guān)重要。在便攜式儀器中，如手持條碼掃描儀或醫(yī)療數(shù)據(jù)記錄儀系統(tǒng)，空間更為緊湊。
2019-07-11
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CMOS圖像傳感器的3D堆疊技術(shù)
為了加速影像數(shù)據(jù)處理， 業(yè)界研發(fā)了在互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)影像傳感器中配備嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)，推出了配備DRAM的三層堆疊式CMOS影像傳感器，SONY是最早發(fā)布這一產(chǎn)品的廠家，這款型號為IMX400的三層堆疊式感光元件(Exmor RS)是專為智能手機而打造的。
2018-06-26
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是時候?qū)ふ业统杀?span id="jpnvh5d" class='red'>DRAM替代方案了
2017年是DRAM需求強勁成長的一年。過去三年來，平面DRAM微縮已經(jīng)大幅減緩了。DRAM正轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場，并為廠商創(chuàng)造了新的利潤記錄。就像石油危機一樣，在DRAM危機下，客戶必須為DRAM付出了更多代價。因此，現(xiàn)在是時候?qū)ふ业统杀咎娲桨噶恕?/p>
2018-01-10
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讓超頻性能倍增的新型DRAM存取技術(shù)
毫無疑問，微處理器的頻率可以通過許多方式大幅增加，但卻受限于主存儲器的性能而必須降低其頻率來維持計算機系統(tǒng)的穩(wěn)定性。本文作者通過對靜態(tài)隨機存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究，提出一種新的存取技術(shù)，可望提升動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)單元的訪問速度。
2018-01-04
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