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多晶硅產(chǎn)業(yè)將在2011年面臨大幅震蕩
多晶硅產(chǎn)業(yè)將在2011年面臨大幅震蕩。此結(jié)論來(lái)源于Bernreuter信息研究公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)Bernreuter研究）今日發(fā)布的最新研究報(bào)告《太陽(yáng)能多晶硅的生產(chǎn)狀況》。多晶硅被視為半導(dǎo)體和光伏產(chǎn)業(yè)的供給原料，但在該市場(chǎng)于2009年轉(zhuǎn)至供過(guò)于求的狀態(tài)之前，多晶硅一直處于短缺。
2010-04-16
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不斷挑戰(zhàn)小型化，大河晶振以新的靈感創(chuàng)造最先進(jìn)的產(chǎn)品
世間的流水滋潤(rùn)著人們的生活，雖然江河日復(fù)一日的在流淌，然而每天流著不同的水。大河晶振也猶如匯入江河的源頭活水，不斷以新的靈感創(chuàng)造著最先進(jìn)的產(chǎn)品。2010年4月9日，電子元件技術(shù)網(wǎng)記者在深圳會(huì)展中心第75界中國(guó)電子展（CEF）大河晶振（RIVER ELETEC）的展位上現(xiàn)場(chǎng)采訪了西安大河晶振科技有限公司總經(jīng)理久恒理樹(shù)先生。
2010-04-16
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Vishay為MC AT薄膜電阻增加了新的外形尺寸和精度版本
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的電阻器件，擴(kuò)充了MC AT系列專(zhuān)用薄膜貼片式電阻。此外，該系列中具有更低TCR和容差的新款精密版本也已經(jīng)發(fā)布了。
2010-04-14
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SiA975DJ：雙路12V P溝道TrenchFET功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙路12V P溝道TrenchFET功率MOSFET --- SiA975DJ。新器件具有迄今為止雙路P溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻，采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝。
2010-04-13
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次世代IPTV技術(shù)概覽
本文介紹利用IP網(wǎng)路與利用光纖到家（FiberToTheHome）技術(shù)，提供影像傳送服務(wù)的IPTV技術(shù)動(dòng)向與功能。今后基于與內(nèi)容保護(hù)、存取控制的CAS（ConditionalAccessSystem）、H.264/AVCTransCoder等外部系統(tǒng)整合的需求，必需開(kāi)發(fā)安全、高品質(zhì)次世代IP播放服務(wù)相關(guān)技術(shù)。
2010-04-13
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USB3.0的物理層測(cè)試探討
USB(Universal Serial Bus)即通用串行總線，用于把鍵盤(pán)、鼠標(biāo)、打印機(jī)、掃描儀、數(shù)碼相機(jī)、MP3、U盤(pán)等外圍設(shè)備連接到計(jì)算機(jī)，它使計(jì)算機(jī)與周邊設(shè)備的接口標(biāo)準(zhǔn)化。在USB1.1版本中支持兩種速率：全速12Mbps和低速1.5Mbps；而USB2.0中支持三種速率：高速480Mbps、全速12Mbps、低速1.5Mbps。在2002年Intel把USB2.0端口整合到了計(jì)算機(jī)的南橋芯片ICH4上，推動(dòng)了USB2.0的普及，目前除了鍵盤(pán)和鼠標(biāo)為低速設(shè)備外，絕大多數(shù)設(shè)備都是速率達(dá)480M的高速設(shè)備。
2010-04-12
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最高容值的新款液鉭電容器
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出通過(guò)了DSCC Drawing 10004認(rèn)證的超高容值液鉭電容器 --- DSCC 10004。Vishay的新款DSCC 10004器件具有業(yè)內(nèi)最高的容值，采用軸向T1、T2、T3和T4外形編碼。對(duì)于高可靠性應(yīng)用，擴(kuò)展的SuperTan? 10004采用玻璃至金屬的密封封裝，工作溫度范圍為-55℃~+85℃，電壓降額情況下的溫度可達(dá)+125℃，在120Hz下的最大ESR低至0.25Ω。
2010-04-09
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Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開(kāi)關(guān)速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓?fù)?，具有低?3ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。
2010-04-08
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2009年度全球10大太陽(yáng)能電池廠排名出爐
目前正值各大太陽(yáng)能企業(yè)發(fā)布2009年年報(bào)以及知名分析機(jī)構(gòu)、專(zhuān)業(yè)期刊公布2009年全球太陽(yáng)能電池廠商排名期間。根據(jù)國(guó)際分析機(jī)構(gòu)Phonoton International的數(shù)據(jù)，綜合各家知名太陽(yáng)能電池廠商所公布的產(chǎn)出，以及參考分析機(jī)構(gòu)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2009年全球太陽(yáng)能電池10大供應(yīng)商的排名出爐了。
2010-04-07
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應(yīng)材CEO：半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)整合期來(lái)臨
華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)訪問(wèn)應(yīng)用材料(AppliedMaterials)執(zhí)行長(zhǎng) MikeSplinter指出，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)購(gòu)并潮即將到來(lái)，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)需要透過(guò)整并來(lái)維持成長(zhǎng)速度。
2010-04-06
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IHLP-6767DZ-01：采用6767外形尺寸的新電感器
Vishay Intertechnology宣布，推出采用6767外形尺寸、低外形、高電流的新款I(lǐng)HLP電感器 --- IHLP-6767DZ-01。IHLP-6767DZ-01具有4.0mm的超薄外形，具有高最高頻率、高達(dá)92A的飽和電流和0.22μH至10.0μH的標(biāo)準(zhǔn)感值。
2010-04-05
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IHLP-6767DZ-01：Vishay推出采用6767外形尺寸的新電感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用6767外形尺寸、低外形、高電流的新款I(lǐng)HLP?電感器 --- IHLP-6767DZ-01。
2010-04-05
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