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IGBT高頻控制板特點(diǎn)，IGBT高頻控制板用途及其結(jié)構(gòu)
目前，IGBT高頻控制板特點(diǎn)，IGBT高頻控制板用途及其結(jié)構(gòu)在當(dāng)代的應(yīng)用可謂是越來(lái)越廣泛，IGBT高頻控制板特點(diǎn)，IGBT高頻控制板用途及其結(jié)構(gòu)是值得我們好好學(xué)習(xí)的，現(xiàn)在我們就深入了解IGBT高頻控制板特點(diǎn)，IGBT高頻控制板用途及其結(jié)構(gòu)。
2013-09-10
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IGBT終于不炸了！詳解逆變H橋IGBT單管驅(qū)動(dòng)+保護(hù)
在逆變器后級(jí)逆變H橋里，將MOSFET換成IGBT，可能開機(jī)帶載就炸了。開始我以為是電路沒(méi)有焊接好，但是換新之后照樣炸掉，白白浪費(fèi)了好多IGBT。后來(lái)發(fā)現(xiàn)一些規(guī)律，就是采用峰值電流保護(hù)的措施就能讓IGBT不會(huì)炸……
2013-08-29
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基于2SD315模塊的IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路設(shè)計(jì)
IGBT 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是IGBT可靠、穩(wěn)定、高效運(yùn)行的基礎(chǔ)，也是IGBT所構(gòu)成系統(tǒng)可靠運(yùn)行所必不可少的。本文所提出的IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是應(yīng)用于二極管箝位式的三電平變頻器當(dāng)中，在介紹IGBT主要特性的前提下，介紹應(yīng)用CONCEPT公司的2SD315模塊設(shè)計(jì)具有高可靠性、高集成度，高效率等特點(diǎn)的 IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，最后給出以型號(hào)為2SD315AI-33驅(qū)動(dòng)模塊的實(shí)際驅(qū)動(dòng)電路。
2013-08-24
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路研究
【導(dǎo)讀】本文基于EXB841設(shè)計(jì)IGBT的驅(qū)動(dòng)電路，包括外部負(fù)柵壓成型電路、過(guò)流檢測(cè)電路、虛假過(guò)流故障識(shí)別與驅(qū)動(dòng)信號(hào)鎖存電路，故障信息報(bào)警電路等，該電路具有較強(qiáng)的過(guò)流識(shí)別能力，并能夠區(qū)分真假過(guò)流，從而對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行有效保護(hù)。
2013-08-23
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美高森美推出新一代大功率高性能650V NPT IGBT
近日，美高森美推出新一代大功率高性能650V NPT IGBT，快速高效的40A、70A和95A晶體管提供業(yè)界最佳的開關(guān)損耗性能。專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計(jì)，尤其適用于太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-21
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一種IGBT元件自損快速檢測(cè)新方法
IGBT元件往往采用多并聯(lián)形式，因此如果某個(gè)IGBT元件發(fā)生故障，將會(huì)導(dǎo)致并聯(lián)回路中的大量IGBT損壞。而常用的快速檢測(cè)方法中或多或少存在著一些無(wú)法避免的缺點(diǎn)，因此需要一種新的快速檢測(cè)法來(lái)滿足滿足IGBT保護(hù)的實(shí)際要求。
2013-08-21
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IGBT驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用設(shè)計(jì)
IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路是電路設(shè)計(jì)的難點(diǎn)和重點(diǎn)，是整個(gè)裝置運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。本文設(shè)計(jì)了一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，可驅(qū)動(dòng)l700v，200～300A的IGBT。硬件上實(shí)現(xiàn)了對(duì)兩個(gè)IGBT的互鎖，并設(shè)計(jì)了可以直接給兩個(gè)IGBT供電的驅(qū)動(dòng)電源。
2013-08-21
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使功耗降至最低，太陽(yáng)能逆變器IGBT怎么選？
在太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用中，IGBT能比其他功率元件提供更多的效益，包括高載流能力、使逆并聯(lián)二極管與IGBT配合、以電壓而非電流進(jìn)行控制。但是，要使太陽(yáng)能應(yīng)用中功耗降至最低，IGBT該怎么選？本來(lái)用圖文數(shù)據(jù)告訴你！
2013-08-16
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常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)匯總
IGBT以及MOSFET器件柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開通和關(guān)斷時(shí)需要一定的動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)功率。更由于漏極到柵極的密勒電容Cdg，柵極驅(qū)動(dòng)功率往往是不可忽視的。本文盤點(diǎn)了常用的幾種隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)，供大家參考。
2013-08-15
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【拆解】變頻器IGBT模塊拆解學(xué)習(xí)
都知道IGBT是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。筆者此次從變頻器中拆得一個(gè)IGBT模塊，估計(jì)看過(guò)的人不多，特拿來(lái)與大家分享學(xué)習(xí)。
2013-08-15
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IGBT電路保護(hù)新方法：將穩(wěn)壓管換為新型TVS
目前IGBT基本都采用粗放式的設(shè)計(jì)模式——所需余量大系統(tǒng)大，但無(wú)法抵抗干擾和失效問(wèn)題。如何突破傳統(tǒng)的保護(hù)方式，進(jìn)行IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)？本文對(duì)傳統(tǒng)IGBT失效防護(hù)進(jìn)行改進(jìn)，使用新方法進(jìn)行IGBT失效防護(hù)和柵極過(guò)電壓、過(guò)電流防護(hù)。
2013-08-13
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件設(shè)計(jì)技巧八大問(wèn)
IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保護(hù)以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和、過(guò)載、短路造成的損害。本文通過(guò)Avago參與的八大問(wèn)答討論隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件的技巧。
2013-08-13
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術(shù)博弈
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