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如何正確地為太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用選擇IGBT
如今市場(chǎng)上先進(jìn)功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件，的確是一項(xiàng)艱巨的工作。就以太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用來(lái)說(shuō)，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高載流能力、以電壓而非電流進(jìn)行控制，并能使逆并聯(lián)二極管與IGBT配合。本文將介紹如果利用全橋逆變器拓?fù)浼斑x用合適的IGBT，使太陽(yáng)能應(yīng)用的功耗降至最低。
2011-09-27
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基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計(jì)
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，新型功率開(kāi)關(guān)器件IGBT(絕緣柵雙極晶體管)迅速占領(lǐng)了市場(chǎng)，滿足了人們把大功率、超高頻率開(kāi)關(guān)元件實(shí)現(xiàn)固態(tài)化的期望，有著完全取代電真空管的趨勢(shì)。這也為在雷達(dá)發(fā)射機(jī)脈沖調(diào)制器中采用IGBT作為開(kāi)關(guān)管以替代電真空管奠定了理論和實(shí)踐基礎(chǔ)。
2011-09-26
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IR 推出可靠的超高速1200 V IGBT
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出針對(duì)感應(yīng)加熱、不間斷電源（UPS）太陽(yáng)能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2011-09-14
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注重解決系統(tǒng)效率、體積和可靠性的新型元器件方案
科技部發(fā)布的《十二五科技發(fā)展規(guī)劃》將太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、新能源汽車列為十二五規(guī)劃的產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)，為幫助工程師解決在設(shè)計(jì)上述系統(tǒng)時(shí)遇到的效率、體積和可靠性等問(wèn)題，第七/八屆新型節(jié)能設(shè)計(jì)技術(shù)研討會(huì)邀請(qǐng)來(lái)自威世、凌力爾特、基美電子、英飛凌、羅姆、品佳電子的技術(shù)專家，重點(diǎn)探討了包括超快恢復(fù)二極管、薄膜電容、鋁電容、鉭電容、聚合物電容、MOSFET、IGBT、SiC器件在內(nèi)的電子元器件在太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、新能源汽車、工業(yè)與通訊等領(lǐng)域中的應(yīng)用。本期半月談通過(guò)三大主題分別介紹第七/八屆新型節(jié)能設(shè)計(jì)技術(shù)研討會(huì)的技術(shù)精華。
2011-09-14
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詳談IGBT電力電子裝置的應(yīng)用
IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、控制電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優(yōu)點(diǎn)。而IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路是電路設(shè)計(jì)的難點(diǎn)和重點(diǎn)，是整個(gè)裝置運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2011-09-09
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IR 推出可靠的超高 1200 V IGBT 以降低開(kāi)關(guān)及傳導(dǎo)損耗
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出針對(duì)感應(yīng)加熱、不間斷電源（UPS）太陽(yáng)能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2011-09-07
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關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的精確測(cè)量方法
在某些對(duì)器件時(shí)間特性要求較高的工程應(yīng)用中，需要更精確地確定IGBT的導(dǎo)通延遲時(shí)間。因而高精度的測(cè)量時(shí)間間隔是測(cè)量領(lǐng)域一直關(guān)注的問(wèn)題。本文從精簡(jiǎn)結(jié)構(gòu)，同時(shí)兼顧精度的角度出發(fā)，提出一種基于時(shí)間測(cè)量芯片TDC-GP2來(lái)精確測(cè)量IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間系統(tǒng)，用于測(cè)量IGBT的導(dǎo)通延遲時(shí)間，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單且成本低的一種較為理想的測(cè)量方案。
2011-09-06
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單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路
為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流，設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)檫@些IC是專為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動(dòng)器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)了。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT進(jìn)行性能表現(xiàn)的比較測(cè)試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測(cè)試結(jié)果。
2011-08-29
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新型節(jié)能設(shè)計(jì)技術(shù)研討會(huì)圓滿舉辦 打造西部電子高能效設(shè)計(jì)技術(shù)盛會(huì)
由CNT Networks、中國(guó)電子展組委會(huì)和China Outlook Consulting聯(lián)合在成都和西安兩地成功舉辦了第七/八屆新型節(jié)能設(shè)計(jì)技術(shù)研討會(huì)成功舉辦。本屆研討會(huì)成都站活動(dòng)于8月23日將在成都明悅大酒店舉辦；8月25日移師西安曲江國(guó)際會(huì)展中心，與中國(guó)（西安）電子展同期舉行。來(lái)自威世、凌力爾特、基美電子、英飛凌、羅姆、品佳電子的技術(shù)專家全面介紹了包括超快恢復(fù)二極管、薄膜電容、鋁電容、、鉭電容、聚合物電容、MOSFET、IGBT、SiC器件在內(nèi)的電子元器件在太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、新能源汽車、工業(yè)與通訊等領(lǐng)域中的應(yīng)用
2011-08-27
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綠色能源計(jì)劃推動(dòng)中國(guó)IGBT市場(chǎng)增長(zhǎng)
據(jù)IHS iSuppli公司中國(guó)研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報(bào)告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴(yán)格的能源政策，2011-2015年中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)銷售額的復(fù)合年度增長(zhǎng)率將達(dá)13%...
2011-08-15
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IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)
隨著半導(dǎo)體器件的發(fā)展，IGBT越來(lái)越多的被應(yīng)用到交流傳動(dòng)技術(shù)中。本文主要分析了IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的主電路原理、逆變電路結(jié)構(gòu)及緩沖保護(hù)電路結(jié)構(gòu)，并對(duì)主電路的安裝布局以及電壓電流參數(shù)的選取做出了說(shuō)明，同時(shí)提出了一種由M57959構(gòu)成的IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。
2011-08-04
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
從1957年第一只晶閘管的誕生開(kāi)始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效，可以使美國(guó)的經(jīng)濟(jì)規(guī)模擴(kuò)大70%以上，與此同時(shí)，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展。
2011-07-27
- 電磁干擾下的生存指南：電流與電壓的底層技術(shù)博弈
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