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G.FAST電路保護(hù)所面臨的挑戰(zhàn)分析
對(duì)于G.FAST等高帶寬線路，放置在線路上的任何電路保護(hù)元件的電容都可能會(huì)降低信號(hào)強(qiáng)度，從而降低其速率和覆蓋范圍。但是節(jié)點(diǎn)中的G.FAST調(diào)制解調(diào)器和電路必須受到保護(hù)，以防止雷電引起的浪涌造成損壞。以下將分析G.FAST電路保護(hù)所面臨的挑戰(zhàn)。
2019-02-15
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關(guān)于ESD的常識(shí)及防護(hù)
ESD是Electro Static Discharge英文的縮寫(xiě)，中文含義即靜電放電：處于不同電位的兩個(gè)物體之間，由于直接接觸或靜電場(chǎng)感應(yīng)導(dǎo)致的電荷傳輸（轉(zhuǎn)移）?？梢?jiàn)，靜電與靜電放電（ESD）是完全不同的物理概念或物理過(guò)程。一個(gè)是“靜”，一個(gè)是“動(dòng)”。 伴隨著靜電放電，往往有電量的轉(zhuǎn)移、電流的產(chǎn)生和電磁場(chǎng)輻射。
2019-01-31
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最牛反激變換器設(shè)計(jì)筆記
開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)是一份非常耗時(shí)費(fèi)力的苦差事，需要不斷地修正多個(gè)設(shè)計(jì)變量，直到性能達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)為止。本文step-by-step 介紹反激變換器的設(shè)計(jì)步驟，并以一個(gè)6.5W 隔離雙路輸出的反激變換器設(shè)計(jì)為例，主控芯片采用NCP1015。
2019-01-19
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貼片電阻常見(jiàn)參數(shù)解析
貼片電阻(SMD Resistor) 是金屬玻璃釉電阻器中的一種，是將金屬粉和玻璃釉粉混合，采用絲網(wǎng)印刷法印在基板上制成的電阻器。耐潮濕和高溫， 溫度系數(shù)小?？纱蟠蠊?jié)約電路空間成本，使設(shè)計(jì)更精細(xì)化。以下是貼片電阻常見(jiàn)參數(shù)解析。
2019-01-09
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詳解加速和改進(jìn)PCB布線的方法 附案例介紹
PCB布線方法在不斷進(jìn)步，靈活的布線技術(shù)可以縮短導(dǎo)線長(zhǎng)度，釋放更多的PCB空間。傳統(tǒng)PCB布線受到導(dǎo)線坐標(biāo)固定和缺少任意角度導(dǎo)線的限制。去除這些限制可以顯著改善布線的質(zhì)量。本文將通過(guò)實(shí)際例子介紹任意角度布線的優(yōu)勢(shì)、靈活布線的優(yōu)勢(shì)以及一種用于構(gòu)造Steiner樹(shù)的新算法。
2018-12-24
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60 V和100 V、低IQ升壓、SEPIC、反相轉(zhuǎn)換器
汽車和工業(yè)市場(chǎng)需要低發(fā)熱運(yùn)行、適應(yīng)狹小空間且滿足低EMI標(biāo)準(zhǔn)的電源。開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器LT8362、LT8364和LT8361滿足升壓、SEPIC或反相拓?fù)渲械倪@些要求。每個(gè)器件均支持2.8 V至60 V的寬輸入范圍，適合工業(yè)或汽車環(huán)境，具有低IQ模式(Burst Mode?)能力，并提供可選SSFM以降低EMI。
2018-12-19
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電子連接器的四個(gè)制造階段
電子連接器種類繁多，但制造過(guò)程基本相同。一般情況下可分為四個(gè)階段：沖壓(Stamping)、電鍍(Plating)、注塑(Molding)和組裝(Assembly)。
2018-12-19
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大聯(lián)大第三屆創(chuàng)新設(shè)計(jì)大賽圓滿結(jié)束，攜手兩岸青年創(chuàng)客，助力創(chuàng)新智能時(shí)代
2018年12月11日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，以“智慧芯城市，馳騁芯未來(lái)”為主題的第三屆“大聯(lián)大創(chuàng)新設(shè)計(jì)大賽”（WPG i-Design Contest）于12月8日在北京圓滿落幕。
2018-12-12
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電磁超聲傳感器的三大典型結(jié)構(gòu)
電磁超聲檢測(cè)技術(shù)由于具有非接觸的優(yōu)點(diǎn)，探頭不存在磨損，適合于高速、高溫等惡劣工況檢測(cè)。尤其是功率電子技術(shù)的發(fā)展，解決了電磁超聲傳感器（Electromagnetic acoustic transducer, EMAT）換能效率低的功率問(wèn)題，極大地促進(jìn)了EMAT技術(shù)的發(fā)展，特別是其易于激勵(lì)出SH波，具有壓電超聲傳感器不可比擬的優(yōu)點(diǎn)，成為近年來(lái)無(wú)損檢測(cè)技術(shù)的研究熱點(diǎn)之一。
2018-12-11
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功率MOSFET線性區(qū)負(fù)溫度系數(shù)
功率MOSFET工作在線性區(qū)用來(lái)限制電流，VGS電壓低，通常在負(fù)溫度系數(shù)區(qū)，局部單元過(guò)熱導(dǎo)致其流過(guò)更大的電流，結(jié)果溫度更高，從而形成局部熱點(diǎn)導(dǎo)致器件損壞，這樣就形成一個(gè)熱電不穩(wěn)定性區(qū)域ETI (Electro Thermal Instability)，發(fā)生于VGS低于溫度系數(shù)為0（ZTC）的負(fù)溫度系數(shù)區(qū)。
2018-11-29
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MRSI宣布在中國(guó)深圳建立HVM3芯片貼裝演示能力
MRSI Systems（Mycronic集團(tuán)）宣布在其位于深圳龍華的姐妹公司，深圳市軸心自控技術(shù)有限公司工廠建立一項(xiàng)新的演示能力。
2018-11-16
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全新 Digi-Key IoT Studio 為物聯(lián)網(wǎng)開(kāi)發(fā)人員和解決方案提供商帶來(lái)了“極致簡(jiǎn)約”
上海，中國(guó) —— 全球電子元器件分銷商 Digi-Key Electronics 推出了全新的設(shè)計(jì)工具 DK IoT Studio?。DK IoT Studio 是一個(gè)集成開(kāi)發(fā)環(huán)境 (IDE)，旨在為開(kāi)發(fā)人員和提供商提供一種極致簡(jiǎn)單的方法來(lái)構(gòu)建物聯(lián)網(wǎng)解決方案。DK IoT Studio 可在數(shù)分鐘之內(nèi)完成從概念到原型的開(kāi)發(fā)，而無(wú)需編寫(xiě)任何代碼。
2018-11-13
- 電阻器分類、規(guī)格要素及全球頭部廠商對(duì)比分析
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