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SPWM全橋逆變器輸出變壓器直流偏磁的抑制

分析了SPWM開關型變換器中輸出變壓器產生直流偏磁的機理。提出了一種基于電壓電流反饋控制技術抑制正弦波逆變器偏磁的方法，并提供了較為實用的拓撲電路，同時分析了它的工作機理。該電路的有效性在介質阻擋強電離放電用IGBT全橋逆變電源中得到了驗證。

2008-10-07

用于有源電力濾波器的IGBT驅動及保護研究

絕緣柵場效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅動和高開關頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領域中有著廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅動器的設計進行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅動電路。

2008-10-02

用于功率變換器的IGBT驅動核心電路

用于IGBT功率模塊上的驅動電路必須能夠完成門極驅動和模塊保護功能。它們還必須能為控制部分和功率半導體之間提供電氣隔離，并滿足多種不同型號IGBT的驅動要求。為了滿足上述要求，必須對現(xiàn)有的門極驅動電路進行優(yōu)化。具體地說，就是必須在諸多因素如功能，靈活性以及性價比之間尋求最優(yōu)平衡，所幸的是，在新的門極驅動電路SKYPER中我們做到了這一點。

2008-10-01

等離子體荷電噴霧逆變電源的研究

本文依據(jù)等離子體荷電噴霧的特點，以IGBT為核心器件，設計了脈寬調制型（PWM）15kHz高壓逆變電源，介紹了逆變電源主回路、PWM控制電路及過流保護回路。試驗結果表明：在噴霧中使用等離子體技術，不僅噴霧的特性達到了改善，而且還增加了霧滴的荷電數(shù)量。

2008-09-30

中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點

在中國中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費電子領域中應用的不斷增多，其市場銷售額保持著較快的增長，是中國功率器件市場中的新興產品。

2008-09-24

ACPL-33xJ系列：安華高智能型門極驅動光電耦合器產品

Avago推出最新的智能型門極驅動光電耦合器產品，ACPL-333J和ACPL-330J系列高速IGBT光電耦合器。它們非常容易集成到工業(yè)變頻器和電源管理等應用，例如隔離式IGBT/MOSFET門極驅動、交流和無刷直流電機驅動、工業(yè)變頻器以及不間斷電源等。

2008-08-26

STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT系列

意法半導體推出一系列新的IGBT，新系列產品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術的MOSFET。

2008-05-13

ACPL-K312：安華高低功耗小型2.5A門極驅動光電耦合器

Avago宣布推出一款具備2.5A最高尖峰輸出電流的新門極驅動光電耦合器產品ACPL-K312。 Avago的新ACPL-K312成功地滿足了低功耗需求，并可以改善效率，非常適合IGBT/MOSFET門極驅動、交流和無刷直流電機驅動、工業(yè)變頻器以及開關式電源等應用。

2008-03-18

GA..系列：Vishay高額定電流的半橋600V 及1200V IGBT模塊

日前，Vishay宣布推出采用業(yè)界標準 Int-A-Pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。該系列由八個 600V 及 1200V 器件組成，這些器件采用多種技術，可在標準及超快速度下實現(xiàn)高開關工作頻率。

2008-03-14

IRGB40XXDPbF：IR UPS和太陽能轉換器應用低功耗600V溝道IGBT

國際整流器公司推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，能夠在最高3kW的不斷電系統(tǒng) (UPS) 及太陽能轉換器中，減少高達30%的功率損耗。

2008-03-11

IRG系列IGBT管主要參數(shù)

1970-01-01

igbt驅動電路，igbt驅動電路圖，igbt驅動電路的選擇

igbt驅動電路，igbt驅動電路圖，igbt驅動電路的選擇

1970-01-01