P-FET場(chǎng)效應(yīng)管的產(chǎn)品特性：
- 耐于極端溫度
- 適合于-55℃至+225℃高溫可靠運(yùn)作
- P-FET 源電流在225℃可高達(dá)310mA
P-FET場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用范圍：
- 高溫度傳感器介面
- 開(kāi)/關(guān)中及高阻器件
- 壓電傳感器或保護(hù)放大器
CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員?；鹦鞘且粋€(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管, 適合于-55 ℃至+225℃高溫可靠運(yùn)作。 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流。所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器。
這邏輯電平 P-FET 源電流在225℃可高達(dá)310mA, 可用于開(kāi)/關(guān)中及高阻器件,例如轉(zhuǎn)換一個(gè)3.3/5V的邏輯訊號(hào)到一個(gè)高電壓開(kāi)源輸出(其開(kāi)關(guān)時(shí)間少于10ns)。 如果將閘電極連接到源電極,火星便能夠變成一個(gè)可于高溫下可靠操作的30V小訊號(hào)異極管。
火星再加上之前推出的水星(N-FET產(chǎn)品), 可以提供給電子工程師一個(gè)可靠及簡(jiǎn)單的分離模擬及數(shù)字電路,例如預(yù)穩(wěn)壓器，低壓差穩(wěn)壓器，電平轉(zhuǎn)換器，CMOS開(kāi)關(guān)或在總線(xiàn)上的打開(kāi)源/漏邏輯。
