
你的位置:首頁 > 測(cè)試測(cè)量 > 正文
Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證,支持高性能7nm+工藝技術(shù)
發(fā)布時(shí)間:2018-05-11 責(zé)任編輯:lina
【導(dǎo)讀】Synopsys近日宣布,Synopsys 設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC最新工藝認(rèn)證,符合TSMC最新版設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)規(guī)定的7-nm FinFET Plus先進(jìn)工藝技術(shù)的相關(guān)規(guī)范。目前,基于Synopsys 設(shè)計(jì)平臺(tái)完成的數(shù)款測(cè)試芯片已成功流片,多位客戶也正在基于該平臺(tái)進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)研發(fā)。Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)在獲得TSMC的此項(xiàng)認(rèn)證后,將可以更加廣泛地用于基于此工藝技術(shù)的芯片設(shè)計(jì),包括高性能、高密度計(jì)算和低功耗移動(dòng)應(yīng)用。

該認(rèn)證意味著TSMC極紫外光刻(EUV)工藝取得顯著進(jìn)步。與非EUV工藝節(jié)點(diǎn)相比,前者的晶片面積顯著減少,但仍保持卓越的性能。
以Design Compiler® Graphical綜合工具和IC Compiler™II布局布線工具為核心Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)性能顯著增強(qiáng),可充分利用TSMC的7-nm FinFET Plus工藝實(shí)現(xiàn)高性能設(shè)計(jì)。Design Compiler Graphical可以通過自動(dòng)插入過孔支柱(via-pillar)結(jié)構(gòu),提高性能以及防止信號(hào)電遷移(EM)違規(guī),并且可將信息傳遞給IC Compiler II進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化。它還會(huì)在邏輯綜合時(shí)自動(dòng)應(yīng)用非默認(rèn)規(guī)則(NDR),并感知繞線層以優(yōu)化設(shè)計(jì)、提高性能。這些優(yōu)化(包括IC Compiler II總線布線),將會(huì)在整個(gè)布局布線流程中繼續(xù)進(jìn)行,以滿足高速網(wǎng)絡(luò)嚴(yán)格的延遲匹配要求。
PrimeTime®時(shí)序分析工具全面支持先進(jìn)的波形傳播(AWP)技術(shù)和參數(shù)化片上偏差(POCV)技術(shù),并已經(jīng)進(jìn)行充分優(yōu)化,可解決更高性能和更低電壓場(chǎng)景中波形失真和非高斯分布偏差造成的影響。此外,PrimeTime感知物理信息的Sign-off擴(kuò)展了對(duì)過孔支柱的支持。
Synopsys強(qiáng)化了設(shè)計(jì)平臺(tái)功能,可以執(zhí)行物理實(shí)現(xiàn)、寄生參數(shù)提取、物理驗(yàn)證和時(shí)序分析,以支持TSMC的WoW技術(shù)。其中基于IC Compiler II的物理實(shí)現(xiàn)流程,全面支持晶圓堆疊設(shè)計(jì),包括最初的裸晶布局規(guī)劃準(zhǔn)備到凸塊(bumps)布局分配,以及執(zhí)行芯片布線。物理驗(yàn)證由Synopsys 的IC Validator工具執(zhí)行DRC/LVS檢查,由StarRC™工具執(zhí)行寄生參數(shù)提取。
TSMC設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)營(yíng)銷事業(yè)部資深處長(zhǎng)Suk Lee表示:“與Synopsys的持續(xù)合作以及TSMC 7-nm FinFET Plus工藝技術(shù)的早期客戶合作,使我們可以提供差異化的平臺(tái)解決方案,幫助我們的共同客戶更快地將開創(chuàng)性新產(chǎn)品推向市場(chǎng)。Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)成功通過認(rèn)證,讓我們共同客戶的設(shè)計(jì)方案首次實(shí)現(xiàn)了基于EUV工藝技術(shù)的批量生產(chǎn)。”
Synopsys設(shè)計(jì)事業(yè)群營(yíng)銷和業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁 Michael Jackson說:“我們與TSMC就7-nm FinFET Plus量產(chǎn)工藝進(jìn)行合作,使客戶公司可以放心地開始運(yùn)用高度差異化的Synopsys 設(shè)計(jì)平臺(tái),設(shè)計(jì)日益龐大的SoC和多裸晶堆疊芯片。TSMC 7-nm FinFET Plus工藝認(rèn)證,讓我們的客戶可以享受到先進(jìn)的EUV工藝所帶來的功率和性能上的顯著提升,以及面積更大程度的節(jié)省,同時(shí)加快了其差異化產(chǎn)品的上市時(shí)間。”
特別推薦
- DigiKey拓展創(chuàng)新版圖,新產(chǎn)品線引領(lǐng)行業(yè)新風(fēng)潮
- 從ADAS到無人駕駛:毫米波雷達(dá)如何重塑智能汽車感知力?
- 10BASE-T1S如何運(yùn)用以太網(wǎng)重構(gòu)智能工廠的“神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”
- 從信號(hào)到光效:解碼工業(yè)級(jí)LED驅(qū)動(dòng)器的可靠性設(shè)計(jì)
- 芝識(shí)課堂——運(yùn)算放大器(二),在使用之前有哪些注意事項(xiàng)?
- 雙A級(jí)榮耀!意法半導(dǎo)體用科技守護(hù)氣候與水安全
- 供需博弈加??!Q1面板驅(qū)動(dòng)IC均價(jià)跌1%-3%
技術(shù)文章更多>>
- 雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)如何確保晶體管性能可比較性
- 金屬膜電阻技術(shù)解析與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用指南
- 一文讀懂運(yùn)動(dòng)控制驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)邏輯
- 傳感器+AI+衛(wèi)星:貿(mào)澤電子農(nóng)業(yè)資源中心揭秘精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)“黑科技”
- 線繞電阻技術(shù)解析與選型策略
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
干電池
干簧繼電器
感應(yīng)開關(guān)
高頻電感
高通
高通濾波器
隔離變壓器
隔離開關(guān)
個(gè)人保健
工業(yè)電子
工業(yè)控制
工業(yè)連接器
工字型電感
功率表
功率電感
功率電阻
功率放大器
功率管
功率繼電器
功率器件
共模電感
固態(tài)盤
固體繼電器
光傳感器
光電池
光電傳感器
光電二極管
光電開關(guān)
光電模塊
光電耦合器