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TM1810-3， TM1810-2 LED恒流驅(qū)動(dòng)IC
在 使用BH1750測(cè)量激光發(fā)射器的強(qiáng)度[1] 文章后面的留言中，aytc100給出了內(nèi)部限流保護(hù)芯片可能是TM1810之類的。并給出了相應(yīng)的 TM1810資料鏈接 。考慮到后面可能需要進(jìn)行相應(yīng)的激光管的實(shí)驗(yàn)，所以從 TMALL購(gòu)買TM1810-2,TM1810-3 以備后面進(jìn)行測(cè)試使用。
2021-09-08
TM1810-3 LED 恒流驅(qū)動(dòng)IC
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橙色云“麟璣”AI產(chǎn)品亮相中國(guó)服貿(mào)會(huì)
2021年9月3日，在2021年中國(guó)國(guó)際服務(wù)貿(mào)易交易會(huì)首鋼園區(qū)“電信、計(jì)算機(jī)和信息服務(wù)專題展”上，一款A(yù)I產(chǎn)品吸引了現(xiàn)場(chǎng)觀眾的駐足。
2021-09-08
橙色云 麟璣 AI產(chǎn)品
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反激同步整流對(duì)EMI的影響
過去十年間，移動(dòng)設(shè)備的快速發(fā)展讓手機(jī)應(yīng)用滲透到社會(huì)的方方面面。日常生活中，人們幾乎手機(jī)不離身。因此，大電池容量及快速充電速度成為手機(jī)最關(guān)鍵的殺手锏之一，這也對(duì)適配器提出了更高額定功率和更高功率密度的需求，且需求正呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。
2021-09-08
反激同步整流 EMI
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板子上的MOSFET莫名炸機(jī)，多半是這個(gè)原因！
MOSFET、IGBT是開關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導(dǎo)致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會(huì)伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測(cè)試，就是保障其安全工作的重要測(cè)試項(xiàng)目！
2021-09-07
MOSFET 炸機(jī) 開關(guān)電源
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X-FAB與派恩杰達(dá)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作，共同推動(dòng)全球SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2021年9月6日，模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和國(guó)產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對(duì)外宣布，雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作關(guān)系，此前雙方已經(jīng)合作近三年時(shí)間。
2021-09-06
X-FAB SiC功率器件 派恩杰
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功率因數(shù)校正
功率因數(shù)定義為設(shè)備能夠傳輸?shù)捷敵龆说哪芰颗c其從輸入電源處獲取的總能量之比。它是電子設(shè)備設(shè)計(jì)的關(guān)鍵績(jī)效指標(biāo)，很多國(guó)家和國(guó)際組織都為此制定了相應(yīng)的法規(guī)。例如歐盟定義了設(shè)備必須具備的最小功率因數(shù)或最大諧波水平，滿足其標(biāo)準(zhǔn)才能在歐洲市場(chǎng)進(jìn)行銷售。
2021-09-06
功率因數(shù) 校正
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解讀數(shù)據(jù)手冊(cè)中的熱參數(shù)和IC結(jié)溫
工程師在轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)手冊(cè)中的熱阻參數(shù)，并做出有意義的設(shè)計(jì)決策時(shí)常常面臨很多困惑。這篇入門文章將幫助現(xiàn)在的硬件工程師了解如何解讀數(shù)據(jù)手冊(cè)中的熱參數(shù)，包括是否選擇 theta 與 psi、如何計(jì)算其值；更重要的是，如何更實(shí)用地將這些值應(yīng)用于設(shè)計(jì)。本文還將介紹應(yīng)用環(huán)境溫度之間的關(guān)系，以及它們與 PCB...
2021-09-06
數(shù)據(jù)手冊(cè) 熱參數(shù) IC結(jié)溫
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拒絕內(nèi)卷，伏達(dá)重新定義功率“觸頂”趨勢(shì)下的充電半導(dǎo)體技術(shù)演進(jìn)路線圖
智能手機(jī)性能大戰(zhàn)發(fā)展到今天，硬件比拼已經(jīng)從手機(jī)本身拓展到作為手機(jī)必備的充電器，無(wú)論是無(wú)線充電還是有線充電都早已進(jìn)入快充時(shí)代，而對(duì)“快”的定義品牌商都不斷刷新新的高度，OPPO、小米、華為、vivo 等手機(jī)廠商無(wú)一不在快充功能上持續(xù)發(fā)力——從 20瓦 到 120瓦，一場(chǎng)來自手機(jī)廠商們的 “快充大戰(zhàn)” 幾...
2021-09-06
伏達(dá) 充電 半導(dǎo)體技術(shù)
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仿真看世界之IPOSIM的散熱器熱阻Rthha解析
如何評(píng)估IGBT模塊的損耗與結(jié)溫？英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對(duì)IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
2021-09-05
IGBT 英飛凌 熱阻
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- 線繞電阻在精密儀器與醫(yī)療設(shè)備中的高精度應(yīng)用和技術(shù)實(shí)踐
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