- 電容范圍：0.5pF 至 56nF（C0G 電介質(zhì)）
- 工作溫度范圍： -55°C 至 125°C
- 電容溫度系數(shù)：在 -55°C 至 125°C (C0G) 條件下為±30ppm/°C
- 適用于核磁共振成像設(shè)備的濾波電路
- 植入式醫(yī)療設(shè)備
- 對強磁性敏感的儀器等
為了滿足對電磁干擾極其敏感的應(yīng)用，如最新的超高分辨率的核磁共振成像掃描儀，Vishay 推出采用特殊材料、構(gòu)造技術(shù)和安全篩選的 VJ 系列非磁性多層陶瓷片式 (MLCC) 電容器。
VJ 系列使用濕法制造工藝和可靠的貴金屬電極 (NME) 系統(tǒng)制做而成，與包含磁性材料的標準電容器相比，它經(jīng)證明可將磁場干擾降到最低。 在最后封裝之前，已針對磁特性對設(shè)備進行 100%安全篩選。 它們可以通過標準的表面安裝設(shè)備并使用導(dǎo)電環(huán)氧樹脂粘合或紅外回流組裝。 VJ 系列采用 C0G (NP0)或 X7R/X5R 電介質(zhì)，為設(shè)計人員提供多種選擇，具有從 3640 至 0402 的 11 種外形尺寸，可承受從 6.3V 至 3000V DC的高電壓，電容值為 0.5pF 至 6.8μF。
特點：
電容范圍：
0.5pF 至 56nF（C0G 電介質(zhì)）
100pF 至 6.8μF（X7R/X5R 電介質(zhì)）
工作溫度范圍： -55°C 至 125°C
電容溫度系數(shù)：
在 -55°C 至 125°C (C0G) 條件下為±30ppm/°C
在 -55°C 至 85°C (X5R) 條件下為±15%
在 -55°C 至 125°C (X7R) 條件下為±15%
應(yīng)用:
適用于核磁共振成像設(shè)備的濾波電路
植入式醫(yī)療設(shè)備
對強磁性敏感的儀器
電子測試系統(tǒng)
高端音頻放大器
