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電子式電能表絕緣性能對(duì)EMC抗擾度試驗(yàn)的影響與改進(jìn)
本文討論電子式電能表的絕緣性能對(duì)EMC抗擾度試驗(yàn)的影響及改進(jìn)措施。通過(guò)增大間隙或爬電距離能使電能表的絕緣性能符合要求，從而能夠通過(guò)EMC抗擾度試驗(yàn)，而增加的成本最低。優(yōu)化后的試驗(yàn)流程為優(yōu)先通過(guò)6kV的脈沖電壓試驗(yàn)，然后進(jìn)行各項(xiàng)EMC抗擾度試驗(yàn)，可以達(dá)到事半功倍的效果。
2008-10-12
電子式電能表 絕緣性能 EMC 爬電距離
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電力電子中的傳導(dǎo)性ＥＭＩ噪聲源測(cè)量與分析
電力電子設(shè)備由于電磁兼容性能差而影響了其廣泛應(yīng)用，因此提高EMC性能，降低電磁干擾就顯得十分重要，而其中EMI傳導(dǎo)噪聲濾波是有效方法之一，特別是EMI噪聲源的測(cè)定與分析是設(shè)計(jì)EMI濾波器的前提條件，本文詳細(xì)分析了電力電子設(shè)備中傳導(dǎo)電磁干擾噪聲產(chǎn)生的機(jī)理，然后分析討論了幾種主要EMI噪聲源建模...
2008-10-12
ＥＭＩ 電力電子 噪聲
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電磁兼容EMC中的屏蔽技術(shù)分析
電磁場(chǎng)的屏蔽可分為靜電屏蔽、靜磁屏蔽和電磁屏蔽三種情況。本文描述了靜電屏蔽、靜磁屏蔽、電磁屏蔽的物理內(nèi)容、物理?xiàng)l件、屏蔽作用等以及它們之間的聯(lián)系。
2008-10-12
靜電 屏蔽 靜磁 電磁
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RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開(kāi)發(fā)
本文通過(guò)分析RF功率 LDMOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征，設(shè)計(jì)出RF 功率 LDMOSFET器件結(jié)構(gòu)，通過(guò)工藝和器件模擬確定了關(guān)鍵參數(shù)，并設(shè)計(jì)了一套符合6寸芯片生產(chǎn)線的制造工藝流程，對(duì)工藝中的難點(diǎn)提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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運(yùn)放式射頻放大器
本文詳細(xì)介紹了放大器的基本拓?fù)浜蛥?shù)，如果價(jià)格可以接受的話，運(yùn)放，特別是CFB運(yùn)放非常適合射頻設(shè)計(jì)。
2008-10-12
運(yùn)放 射頻 CFB
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電流型熱電偶溫度變送器的設(shè)計(jì)
在化工、石油、電力、冶煉等行業(yè)的自動(dòng)化控制系統(tǒng)中熱電偶發(fā)揮著對(duì)溫度的監(jiān)控作用。本文主要開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)出一套具有較高精度和穩(wěn)定性的實(shí)用性K型熱電偶溫度變送器。
2008-10-11
熱電偶 溫度變送器 溫度補(bǔ)償
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將MEMS傳感器用于各種創(chuàng)新的消費(fèi)類產(chǎn)品設(shè)計(jì)
MEMS即微機(jī)電系統(tǒng)，是利用微米級(jí)立體結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)感應(yīng)和執(zhí)行功能的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。其中，微米級(jí)立體結(jié)構(gòu)是利用被稱為“微加工”的特殊工藝實(shí)現(xiàn)的微米大小的立體機(jī)械結(jié)構(gòu)。 因?yàn)榧夹g(shù)和經(jīng)濟(jì)的原因，MEMS傳感器曾經(jīng)被局限在汽車(chē)市場(chǎng)和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域；今天，隨著MEMS傳感器越來(lái)越小，價(jià)格越來(lái)越低，能效越來(lái)越高...
2008-10-11
MEMS 計(jì)步器 游戲機(jī) 加速計(jì)
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高壓離線式高亮度LED的新型恒流控制電路
本文詳細(xì)的介紹了高亮度LED的新型恒流控制電路，分為三個(gè)部分介紹：二極管串、維持電流、同步。
2008-10-11
HB-LED 二極管串 VIFB 同步
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韓國(guó)技術(shù)團(tuán)隊(duì)訪問(wèn)南方芯源
韓國(guó)楓葉半導(dǎo)體拜訪南方芯源總經(jīng)理羅義先生，此次來(lái)訪是希望與南方芯源合作，共同開(kāi)拓中國(guó)MOSFET市場(chǎng)。
2008-10-10
MOSFET 楓葉半導(dǎo)體 南方芯源
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