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電源開關(guān)的阻容吸收器設(shè)計

發(fā)布時間:2018-06-04 來源:Fairchild Semiconductor 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】電源開關(guān)是每一種電源轉(zhuǎn)換器的核心元件。 這些元件的工作性能直接決定產(chǎn)品的可靠性和能效。 為增強電源轉(zhuǎn)換器的開關(guān)電路性能,吸收器橫跨電源開關(guān),以抑制電壓尖刺以及衰減電路電感在開關(guān)打開時造成的瞬時振蕩。 正確的吸收器設(shè)計會提升可靠性和能效并減弱 EMI。 在許多不同的吸收器中,最常見的吸收器是阻容 (RC) 吸收器。 本文將說明為什么電源開關(guān)需要吸收器。 此外,還將給出關(guān)于最佳吸收器設(shè)計的一些實用小竅門。
 
電源開關(guān)的阻容吸收器設(shè)計
圖 1:電源開關(guān)的四種基本電路。
 
在電源轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器和燈泡鎮(zhèn)流器中會用到許多不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 圖 1 所示為電源開關(guān)的四種基本電路。 如圖中藍(lán)色線框所示,這四種基本電路以及大多數(shù)電源開關(guān)電路都采用了“開關(guān)-二極管-電感器”網(wǎng)絡(luò)。 這種網(wǎng)絡(luò)在所有這些電路中的特性均相同。 所以,圖 2 中的簡化電路可用于分析電源開關(guān)在開關(guān)瞬變期間的開關(guān)性能。 既然電感器中的電流在開關(guān)瞬變期間幾乎不變,那么如圖所示,這個電感器就可用電流源替代。 圖 2 所示為理想的“電壓和電流開關(guān)”波形。
 
電源開關(guān)的阻容吸收器設(shè)計
圖 2:簡化電源開關(guān)電路及其理想開關(guān)波形。
 
當(dāng) MOSFET 開關(guān)關(guān)斷時,其自身電壓升高。 然而,電流 IL 將繼續(xù)通過 MOSFET,直到開關(guān)電壓升至 Vol。 一旦二極管導(dǎo)通,IL 就開始降低。 當(dāng) MOSFET 開關(guān)導(dǎo)通時,情況剛好相反,如圖所示。 這種開關(guān)方式稱作“硬開關(guān)”。 在開關(guān)瞬變期間,電路必須能同時承受最高電壓和最大電流。 因此,這種“硬開關(guān)”方式會使 MOSFET 開關(guān)直接承受高電氣應(yīng)力。
 
電源開關(guān)的阻容吸收器設(shè)計
圖 3:MOSFET 開關(guān)關(guān)斷瞬變電壓過沖。
 
實際電路中,寄生電感 (Lp)、電容 (Cp) 會產(chǎn)生非常高的開關(guān)應(yīng)力,如圖 4 所示。 Cp 包括開關(guān)的輸出電容、PCB 布局和安裝時產(chǎn)生的雜散電容。 Lp 包括 PCB 線路的寄生電感和 MOSFET 的引線電感。 這些來自功率器件的寄生電感、電容形成一個濾波器,并在關(guān)斷瞬變剛剛結(jié)束時形成諧振,所以會在器件上疊加過高的電壓瞬時振蕩,如圖 3 所示。 為抑制這種峰值電壓,可在開關(guān)上并聯(lián)一個 RC 吸收器,如圖 4 所示。 電阻值必須接近希望衰減的寄生諧振的阻抗值。 吸收器電容必須大于諧振電路電容,但又必須足夠小,以便最大程度地減小電阻器功率耗散。
 
電源開關(guān)的阻容吸收器設(shè)計
圖 4:阻容吸收器配置。
 
如果功率耗散非關(guān)鍵指標(biāo),則可采用一種快捷的 RC 吸收器設(shè)計方法。 按照經(jīng)驗,吸收器電容器 Csnub 應(yīng)兩倍于開關(guān)輸出電容與預(yù)計安裝電容之和。 吸收器電阻器 Rsnub 則應(yīng)滿足 電源開關(guān)的阻容吸收器設(shè)計。 電阻 Rsnub 在給定開關(guān)頻率 (fs) 下的功率耗散可按照下式估算: 
 
電源開關(guān)的阻容吸收器設(shè)計
 
當(dāng)這種簡單的經(jīng)驗設(shè)計不能充分限制峰值電壓時,就需采取優(yōu)化措施。
 
經(jīng)過優(yōu)化的 RC 吸收器:在功率耗散是關(guān)鍵指標(biāo)的情況下應(yīng)采用一種更優(yōu)的方法。 首先,測量 MOSFET 開關(guān)關(guān)斷時在其節(jié)點 (SW) 處的瞬時振蕩頻率 (Fring)。 在 MOSFET 兩端焊接一個薄膜型 100 pF、低 ESR 電容器。 增大電容值,直至瞬時振蕩頻率為原始測量值的一半。 現(xiàn)在,開關(guān)的總輸出電容(增加的電容和原有寄生電容之和)增大到原來的四倍,而瞬時振蕩頻率則與電路的電感電容之積的平方根成反比例。 所以,寄生電容 Cp 是外加電容器電容值的三分之一。 現(xiàn)在,寄生電感 Lp 可利用下式求出:
 
電源開關(guān)的阻容吸收器設(shè)計
 
只要求出寄生電感 Lp 和寄生電容 Cp,就可根據(jù)以下計算公式確定吸收器的電阻器 Rsnub 和電容器 Csnub
 
電源開關(guān)的阻容吸收器設(shè)計
 
電源開關(guān)的阻容吸收器設(shè)計
 
如發(fā)現(xiàn)吸收器電阻器不夠大,則可以進行微調(diào),進一步減少瞬時振蕩。
 
電阻器 Rsnub 在給定開關(guān)頻率 (fs) 下的功率耗散為 電源開關(guān)的阻容吸收器設(shè)計。 
 
利用所有這些求出的值即可完成電源開關(guān)吸收器設(shè)計,然后就可以在應(yīng)用中實現(xiàn)。
 
 
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