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富士通明年量產(chǎn)氮化鎵功率器件
富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件，滿足高效電源單元供應(yīng)市場需求，可使服務(wù)器電源單元實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用。
2012-11-22
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GaN在電子器件的應(yīng)用
為了滿足產(chǎn)品小型化、低功耗的要求，電子元器件也在進行著新一代的變革，用GaN材料制作的電子元器件日益受到各廠家的關(guān)注。富士通科技也宣布，將于2013年量產(chǎn)GaN功率器件。
2012-11-21
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科銳碳化硅功率器件, 可降低總體系統(tǒng)成本
科銳推出新型碳化硅高頻率功率模組，新型高頻率模組額定電流100A，額定阻斷電壓1200V，可實現(xiàn)更高效、更小尺寸及更輕重量的系統(tǒng)，相比傳統(tǒng)的硅技術(shù)可以幫助降低總體系統(tǒng)成本。
2012-11-19
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可實現(xiàn)2.5kW電源GaN功率器件
【導(dǎo)讀】富士通半導(dǎo)體量產(chǎn)可實現(xiàn)2.5kW電源的硅基板GaN功率器件，意在在電源裝置領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)優(yōu)化應(yīng)用，并在電路設(shè)計方面給予技術(shù)支持，為開發(fā)多種用途的低損失、小型電源裝置提供支持。
2012-11-13
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關(guān)于功率二極管的15個小問題
【導(dǎo)讀】二極管的額定電流是二極管的主要標(biāo)稱值，比如5A/100V的二極管，5A就是額定電流。通常額定電流的定義是該二極管所能通過的額定平均電流。但是有些的測試前是方波，也就是可以通過平均值為5A的方波電流。有些得測試前提是直流，也就是能通過5A的直流電流。 1. 什么是二極管的正向額定電流? 二極管的額定電流是二極管的主要標(biāo)稱值，比如5A/100V的二極管，5A就是額定電流。通常額定電流的定義是該二極管所能通過的額定平均電流。但是有些的測試前是方波，也就是可以通過平均值為5A的方波電流。有些得測試前提是直流，也就是能通過5A的直流電流。理論上來說，對于硅二極管，以方波為測試條件的二極管能通過更大的直流電流，因為同樣平均電流的方波較于直流電流，會給二極管帶來更大損耗。那么5A的二極管是否一定能通過5A的電流?不一定，這個和溫度有關(guān)，當(dāng)你的散熱條件不足夠好，那么二極管能通過的電流會被結(jié)溫限制。、 2. 什么是二極管的反向額定電壓? 二極管反向截止時，可以承受一定的反壓，那么其最高可承受的反壓就是額定電壓。比如5A/100V的二極管，其額定反壓就是100V。雖然，所有二極管廠家都會留一定的裕量，100V的二極管通常用到110V都不會有問題，但是不建議這么用，因為超過額定值，廠家就不會保證其可靠性，出了問題就是你的問題了。而且很多電源設(shè)計公司，為了保障可靠性，還會降額設(shè)計。 3. 什么是二極管的正向沖擊電流? 開關(guān)電源在開機或者其他瞬態(tài)情況下，需要二極管能夠承受很大的沖擊電流而不壞，當(dāng)然這種沖擊電流應(yīng)該是不重復(fù)性，或者間隔時間很長的。通常二極管的數(shù)據(jù)手冊都有定義這個沖擊電流，其測試條件往往是單個波形的沖擊電流，比如單個正弦波，或者方波。其電流值往往可達幾百。 4. 什么是二極管的正向?qū)▔航? 二極管在正向?qū)?，流過電流的時候會產(chǎn)生壓降。這個壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。 5. 什么是二極管的反向漏電流? 二極管在反向截止的時候，并不是完全理想的截止。在承受反壓得時候，會有些微小的電流從陰極漏到陽極。這個電流通常很小，而且反壓越高，漏電流越大，溫度越高，漏電流越大。大的漏電流會帶來較大的損耗，特別在高壓應(yīng)用場合。 6. 什么是二極管的反向恢復(fù)時間和反向恢復(fù)電流? 這個是二極管的重要指標(biāo)，所謂的快恢復(fù)，慢恢復(fù)二極管就是以此為標(biāo)準(zhǔn)。二極管 在從正偏轉(zhuǎn)換到反偏的時候，會出現(xiàn)較大的反向恢復(fù)電流從陰極流向陽極，其反向電流先上升到峰值，然后下降到零。那么其上升下降的時間就是反向恢復(fù)時間，峰值電流就是反向恢復(fù)電流。這個在高頻率的應(yīng)用中會帶來很大損耗。而反向恢復(fù)時間和電流和二極管截止時，正向電流的下降速率正相關(guān)。解決這個問題，一就是用恢復(fù)時間更快的二極管，二是采用ZCS方式關(guān)斷二極管。 7. 什么是軟恢復(fù)二極管? 二極管在反向恢復(fù)的時候，反向電流下降的比較慢的，稱為軟恢復(fù)二極管。軟恢復(fù)對減小EMI有一定的好處。 8. 什么是二極管的結(jié)電容? 結(jié)電容是二極管的一個寄生參數(shù)，可以看作在二極管上并聯(lián)的電容。 9. 什么是二極管的寄生電感? 二極管寄生電感主要由引線引起，可以看作串聯(lián)在二極管上的電感。 10. 二極管正向?qū)〞r候瞬態(tài)過程是怎樣? 對于二極管的瞬態(tài)過程，通常關(guān)心比較多的是反向恢復(fù)特性。但是其實二極管從反偏轉(zhuǎn)為正向?qū)ǖ倪^程也有值得注意的地方。在二極管剛導(dǎo)通的時候，正向壓降會先上升到一個最大值，然后才會下降到穩(wěn)態(tài)值。而這個最大值，隨di/dt的增大而增大。也就是說二極管帶導(dǎo)通瞬間會產(chǎn)生一個正向尖峰電壓，而且電壓要大于穩(wěn)態(tài)電壓?？旎謴?fù)管的這個正向尖峰電壓比較小，慢恢復(fù)管就會很嚴重。這個就引出了另外一個問題： 11. 在RCD鉗位電路中，二極管到底選慢管，還是快管? RCD電路常用于一些需要鉗位的場合，比如flyback原邊MOS的電壓鉗位，次級整流管的電壓鉗位。有些技術(shù)文獻說應(yīng)該用慢恢復(fù)管，理由是慢恢復(fù)管由于其反向恢復(fù)時間比較長，這樣鉗位電容中的一部分能量會在二極管反向恢復(fù)過程中回饋給電路，這樣整個RCD電路的損耗可以降低。不過這個只適合小電流，低di/dt的場合。比如小功率flyback的原邊鉗位電路。但是不適合大電流，高di/dt的鉗位場合，比如大電流輸出的電源的次級鉗位電路。因為，慢恢復(fù)管在導(dǎo)通的時候會產(chǎn)生很高導(dǎo)通壓降尖峰，導(dǎo)致雖然鉗位電容上的電壓很低，但是卻沒法鉗住尖峰電壓。所以應(yīng)該選擇肖特基二極管之類。 12. 什么是肖特基二極管? 肖特基二極管是一種利用肖特基勢壘工藝的二極管，和普通的PN結(jié)二極管相比，其優(yōu)點：更快的反向恢復(fù)時間，很多稱之為0反向恢復(fù)時間。雖然并不是真的0反向恢復(fù)時間，但是相對普通二極管要快非常多。其缺點：反向漏電流比較大，所以沒法做成高壓的二極管。目前的肖特基二極管,基本都是200V以下的。雖然有些公司可以提供高壓的肖特基硅二極管，但是也是將幾個二極管串聯(lián)之后封裝在一起。當(dāng)然也有公司稱有獨特的工藝，可以制造高壓肖特基二極管，但并不知曉是什么樣的工藝。 13. 什么是碳化硅二極管? 通常大家所用的基本都是以硅為原料的二極管，但是最近比較熱門的碳化硅二極管是用碳化硅為原料的二極管。目前常見的多為高壓的肖特基碳化硅二極管，其優(yōu)點：反向恢復(fù)特性很好，媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓的二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。缺點：正向?qū)▔航当容^大。還有一點與硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降隨溫度上升反而增大。早期的碳化硅二極管，還有可承受沖擊電流小，可靠性不高等缺點。但是目前已有很大改善。 14. 什么是砷化鎵二極管? 說實話，我聽說砷化鎵材料早于碳化硅，但是后來就較少聽說了。目前砷化鎵在LED上似乎有些應(yīng)用，但是功率器件上卻還比較少。 15. 二極管適合并聯(lián)么? 理論上來說硅二極管，由于導(dǎo)通壓降隨溫度上升而下降，所以是不適合并聯(lián)的，但是現(xiàn)在很多二極管會把兩個單管封裝在一起，這樣溫升相對均勻，給并聯(lián)帶來好處。但是碳化硅是的壓降是隨溫度上升而上升，理論上是適合并聯(lián)的。
2012-10-31
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智能功率器件的原理與應(yīng)用
據(jù)小編了解目前，功率器件正朝著集成化、智能化和模塊化的方向發(fā)展。智能功率器件為機電一體化設(shè)備中弱電與強電的連接提供了理想的接口。下面小編來介紹了智能功率器件的特點、工作原理及典型應(yīng)用。
2012-10-26
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什么是功率器件？
功率器件在電力電子電路的重要組成部門，本文將學(xué)習(xí)功率器件的相關(guān)知識，從什么是功率器件到功率器件的分類，再到其特性，最后到其選型技巧。旨在幫助電力電子設(shè)計初學(xué)者認識和掌握功率器件的選型和應(yīng)用。
2012-10-25
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完美結(jié)合耐用性、頻率范圍與寬帶能力射頻功率晶體管
為了滿足市場對射頻功率器件增強耐用性和在廣泛的頻率范圍進行寬帶運行的需求，飛思卡爾半導(dǎo)體公司推出了兩款功能豐富的器件，旨在為采用LDMOS處理技術(shù)制造的射頻功率產(chǎn)品提供新級別的線性和耐用性。
2012-10-23
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TE針對HEV/EV的電路保護方案
汽車設(shè)計中越來越多的功率器件和高數(shù)據(jù)速率連接使得人們更加迫切地需要可靠、具有成本效益的電路保護解決方案。TE針對HEV|EV的電路保護方案系統(tǒng)從功率電子、可替代的電源系統(tǒng) 、汽車聯(lián)網(wǎng)進行分享。
2012-06-05
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車用MOSFET如何尋求性能與保護的最佳組合
工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應(yīng)用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在極端環(huán)境下(如引擎蓋下面的汽車電子應(yīng)用)，溫度的迅速上升會使MOSFET意外導(dǎo)通，致使閾值電壓接近零伏。
2012-05-29
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提供更低成本的完全自保護的MOSFET功率器件
汽車電子系統(tǒng)中使用的功率器件必須能抵受極為嚴峻環(huán)境的考驗：它們必須能承受關(guān)閉瞬流和負載切斷電源故障引起的高壓毛刺；若環(huán)境工作溫度超過120℃，器件結(jié)溫則將隨之而來升高；線束中的眾多連接器位于方便組裝和維修的位置，這可能造成器件電氣連接的間斷。由于新的負載需要的功率越來越大，所以即使在正常的條件下工作，器件承受的壓力也明顯加大。
2012-05-16
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Vishay PowerPAIR? MOSFET榮獲2012中國年度電子成就獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR?功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國年度電子成就獎。
2012-04-28
- 功率電阻從原理到選型的工程實踐指南
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