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STW88N65M5：ST 推出MDmesh V功率MOSFET晶體管
意法半導(dǎo)體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管。MDmesh V系列已是市場 上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻，在650V額定電壓應(yīng)用中可實現(xiàn)最高的能效和功率密度；現(xiàn)在新產(chǎn)品的推出又將重要的能效指標提高23%以上，對于以熱量形式損耗電能的系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換電路，如電子照明控制器、消費電子電源和太陽能光電轉(zhuǎn)換器，新產(chǎn)品的成功推出在節(jié)能技術(shù)領(lǐng)域是一次巨大飛躍。
2011-12-30
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NTST30100CTG：安森美推出低正向壓降肖特基整流器用于筆記本適配器
安森美半導(dǎo)體(On semi)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)——NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG等系列，用于筆記本適配器或平板顯示器的開關(guān)電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。
2011-12-30
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2013年新能源車飆漲 BMS成關(guān)鍵
2012年臺北國際車展在歲末年初之際登場，綠能無疑是最大賣點，眾家廠商競相率新能源車爭艷四方，以宣示進軍新世代新能源車戰(zhàn)場決心。拓墣產(chǎn)業(yè)研究所預(yù)估，全球電動車市場將隨鋰電池質(zhì)量與充電站建置逐漸完備，于2013年邁入成長爆發(fā)期，至2015年前每年以超過三成的幅度增長，至2020年出貨量可望達830萬輛，占全球汽車市場10%。拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員雷德灝表示，由于國外電動車起火事件頻傳，導(dǎo)致大眾對電動車產(chǎn)生安全疑慮，因此欲使電動車迅速普及，必須提升電池續(xù)航力與安全性，而電池管理系統(tǒng)（Battery Management Systems；BMS）技術(shù)能否適時發(fā)揮功用更是關(guān)鍵。因此，電池管理系統(tǒng)市場產(chǎn)值，也將隨電動車市場擴大而受益，2013年預(yù)計大幅增長，市場產(chǎn)值達13.29億美元，成長幅度為25%。
2011-12-30
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意法半導(dǎo)體（ST）鞏固在能效功率控制市場的領(lǐng)導(dǎo)地位
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管。MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻，在650V額定電壓應(yīng)用中可實現(xiàn)最高的能效和功率密度；現(xiàn)在新產(chǎn)品的推出又將重要的能效指標提高23%以上，對于以熱量形式損耗電能的系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換電路，如電子照明控制器、消費電子電源和太陽能光電轉(zhuǎn)換器，新產(chǎn)品的成功推出在節(jié)能技術(shù)領(lǐng)域是一次巨大飛躍。
2011-12-29
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SEMI：2015年半導(dǎo)體封裝材料市場將達257億美元
SEMI與TechSearch International共同出版的全球半導(dǎo)體封裝材料展望中顯示，2011年包括熱接口材料在內(nèi)的全球半導(dǎo)體封裝材料市場總值將達228億美元，2015年將進一步成長至257億美元。其中層壓基板(laminate Substrates)仍占最大比例，2011年總額預(yù)計為97億美元，以單位數(shù)量來看，未來5年的年復(fù)合成長率將超過8%。
2011-12-29
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凌力爾特收購Dust Networks提供完整無線傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)解決方案
凌力爾特公司 (Linear)宣布收購領(lǐng)先的低功率無線傳感器網(wǎng)絡(luò) (WSN) 技術(shù)供應(yīng)商 Dust Networks 公司。Dust Networks 位于加州海沃德 (Hayward, CA)，此次收購將使凌力爾特能夠提供完整的高性能無線傳感器網(wǎng)絡(luò)解決方案。Dust Networks 公司的低功耗無線電和軟件技術(shù)補充了凌力爾特在工業(yè)設(shè)備、電源管理和能量收集技術(shù)方面的優(yōu)勢。
2011-12-27
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DC/DC電源技術(shù)研究
隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，很多場合需要大功率大電流的直流電源。EAST的磁約束核聚變裝置使用的直流快控電源即是一種大功率直流電源，其技術(shù)要求為：電壓響應(yīng)時間1ms峰值電壓50V；最大電流20kA，能實現(xiàn)4個象限的運行。針對此要求，不可避免地需采用電源并聯(lián)技術(shù)，即功率管并聯(lián)或電源裝置的并聯(lián)。對于20kA直流電源，若采用功率管IGBT并聯(lián)，每個橋臂則至少需15只功率管并聯(lián)，這不但給驅(qū)動帶來很大困難，而且，在一般情況下，電流容量較大的功率管的電壓容量也較大，在實際電壓只有50V 的情況下，對功率管的電壓容量而言，這是極大的浪費。因此，提出采用多米諾結(jié)構(gòu)的DC/DC電源裝置并聯(lián)技術(shù)思路。
2011-12-27
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威世Power Metal Strip儀表分流電阻獲電子產(chǎn)品世界“2011編輯推薦”獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司的WSMS2908 Power Metal Strip?儀表分流電阻榮獲《電子產(chǎn)品世界》(EEPW)的“2011編輯推薦”獎，該雜志是中國重要的專業(yè)類刊物。
2011-12-22
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GSM協(xié)會的Wireless Intelligence稱，LTE全球推出將加快至2015年
GSM 協(xié)會 (GSMA) 的 Wireless Intelligence 服務(wù)已發(fā)布一項報告，稱 LTE 服務(wù)的全球采用冒著受設(shè)備互操作性問題牽制的危險（除非協(xié)調(diào)頻段計劃得以實現(xiàn)）。這份題為《Global LTE Network Forecasts and Assumptions - One Year On》的報告預(yù)測，到2015年，將有38個不同的頻譜合并被用于 LTE 部署、將推出正在進行的頻譜拍賣推動的分段方案、執(zhí)照換新以及眾多頻段的重新分配計劃。頻譜協(xié)調(diào)的缺乏是新興 LTE 產(chǎn)業(yè)鏈的一大關(guān)鍵挑戰(zhàn)，可能會妨礙廠商提供設(shè)備和芯片集等全球兼容的 LTE 產(chǎn)品，或需要他們提高產(chǎn)品價格。
2011-12-21
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L3G3200D：ST推出全球最小的3軸數(shù)字陀螺儀
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商及全球第一大消費電子和便攜式設(shè)備MEMS（微機電系統(tǒng)）傳感器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體進一步擴大其運動傳感器產(chǎn)品組合，推出市場上最小的三軸數(shù)字輸出陀螺儀L3G3200D。新產(chǎn)品的封裝尺寸較現(xiàn)有傳感器縮減近一半，讓外觀尺寸不斷縮小的手機、平板電腦等智能消費電子設(shè)備擁有先進的運動感應(yīng)功能。
2011-12-19
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安捷倫和Lime Microsystems合作開發(fā)用于先進無線系統(tǒng)測量的定制產(chǎn)品
安捷倫科技公司和 Lime Microsystems 日前聯(lián)合發(fā)布一套由測試設(shè)備、收發(fā)信機技術(shù)和控制軟件構(gòu)成的全新定制產(chǎn)品，用于測試和評估先進無線系統(tǒng)。評測平臺包含全套測試設(shè)備和軟件，可為當(dāng)前的數(shù)字和軟件無線電設(shè)計人員節(jié)省開發(fā)時間、縮短優(yōu)化周期和加快新產(chǎn)品的上市速度。
2011-12-16
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TS3011:ST新推高速電壓比較器
近日消息，據(jù)外媒報道，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出擁有業(yè)界最佳電流消耗與響應(yīng)時間比率的高速電壓比較器TS3011。
2011-12-14
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