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如何避免可控硅在其使用中出現(xiàn)過載等問題
目前交流調(diào)壓多采用雙向可控硅，它具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負載時會干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點，下面我們來談談可控硅在其使用中如何避免上述問題。
2013-01-10
可控硅 過載
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一種可控硅音源切換電路設(shè)計
本文介紹一種可控硅音源切換電路，不使用集成電路，不占用繼電器的觸點，線路簡單，擴展容易的特點。
2013-01-10
可控硅 音源切換
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一種采用霍耳元件作為傳感器的可控硅過流過載保護電路
本文介紹一種采用霍耳元件作為傳感器的可控硅過流過載保護電路，此外它還具有過熱保護功能和聲光報警功能。電路原理圖見圖１。
2013-01-10
霍耳元件 傳感器 可控硅 過載保護電路
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詳解TBU與傳統(tǒng)過壓過流電路中保護元件的區(qū)別
對于大型的控制電路，比如LED燈塔的電源控制線路，其保護以及維修都是一個比較復雜的工程。使用TBU方案，是否可以使過壓過流電路保護解決方案設(shè)計更輕松呢？本文從傳統(tǒng)的保護元器件入手，對比傳統(tǒng)過流過壓保護元器件和TBU方案的工作方式，深度解析TBU與傳統(tǒng)過壓過流電路保護元件的區(qū)別及其應用限制...
2013-01-10
TBU 保護元件 TPS
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ESD的保護方法
ESD保護元件的對比分析及大電流性能鑒定。為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護，可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導體芯片內(nèi)建ESD保護架構(gòu)。不過，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來越不足以承受進行內(nèi)部2 kV等級的ESD保護所需要的面積。
2013-01-10
ESD 保護 TLP
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詳解開關(guān)電源嘯叫的原因
測試開關(guān)電源或在實驗中有聽到類似產(chǎn)品打高壓不良的漏電聲響或高壓拉弧的聲音或大或小，或時有時無，其韻律或深沉或刺耳，或變化無常者皆有。
2013-01-10
開關(guān)電源 嘯叫 大電流
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詳解貼片鉭電容的頻率特性
貼片鉭電容的頻率特性分析。鉭電容器的電容隨溫度變化而發(fā)生變化。這種變化本身就是一個小的程度上依賴額定電壓和電容的大小。
2013-01-10
貼片鉭電容 頻率特性 能量損耗
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業(yè)界最低功耗的DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器
德州儀器(TI)宣布推出業(yè)界最低功耗DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器，該超低功耗電路可實現(xiàn)各種應用的無電池供電，如無線傳感器網(wǎng)絡、監(jiān)控系統(tǒng)、煙霧探測器、可佩戴醫(yī)療設(shè)備以及移動附件等。
2013-01-10
低功耗 降壓轉(zhuǎn)換器 無電池供電
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適用于升壓轉(zhuǎn)換器、低功率逆變器的功率MOSFET
Vishay 率先推出PowerPAK SC-75和SC-70封裝的功率MOSFET，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封裝可在這些應用中節(jié)省PCB空間，其低導通電阻可實現(xiàn)更低的導通電阻，從而降低能源消耗，提高效率。
2013-01-10
功率MOSFET 轉(zhuǎn)換器 逆變器
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