- 通過微細化及雜質(zhì)濃度的優(yōu)化
- 將導通電阻成功降低了約47％
- 應用于太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器
日本知名半導體制造商羅姆株式會社（總部：日本京都市）面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
本產(chǎn)品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝，于9月中旬開始提供樣品，并計劃于2011年12月份開始投入量產(chǎn)。
隨著節(jié)能趨勢漸行漸強，作為可再生能源的代表，太陽能發(fā)電市場規(guī)模不斷擴大。其功率調(diào)節(jié)器領(lǐng)域，正在努力通過電源轉(zhuǎn)換效率的改善實現(xiàn)節(jié)電，因此對實現(xiàn)更低損耗的功率MOSFET的需求不斷高漲。羅姆此前也一直利用多層外延生長方式，為客戶提供多層縱向pn結(jié)的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，持續(xù)為高效化作出了貢獻。但是，由于這種方式的制造工序復雜，因此具有難于微細化和提高生產(chǎn)性能的課題。
此次，羅姆采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術(shù)，通過微細化及雜質(zhì)濃度的優(yōu)化，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，將導通電阻成功降低了約47％。此產(chǎn)品不僅非常適合低導通電阻容易體現(xiàn)出來的轉(zhuǎn)換器部分，而且與羅姆制造的快速恢復二極管或SiC肖特基勢壘二極管等相組合，還可應用于逆變器。由于可以大幅降低電源轉(zhuǎn)換時的損耗，因此將會大大有助于提高太陽能發(fā)電的效率。另外，為了適用于更多種類的電路方式，羅姆在采用本技術(shù)進一步完善高耐壓產(chǎn)品線的同時，還將不斷擴充“PrestoMOS”系列。
羅姆今后也會繼續(xù)利用獨創(chuàng)的先進工藝加工技術(shù)，不斷推進滿足顧客需求的前瞻性晶體管產(chǎn)品的開發(fā)。另外，本產(chǎn)品預計在10月4日～8日在千葉幕張會展中心舉辦的“CEATEC JAPAN2011”的羅姆展臺亮相。屆時歡迎大家光臨羅姆展臺。
