-
挑選一款合適的汽車級IGBT模塊： 解讀國內(nèi)首部車用IGBT標準
隨著新能源汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展，越來越多的IGBT產(chǎn)品應運而生。汽車零部件時常暴露在惡劣的氣候條件下，因此必須保證汽車級產(chǎn)品在高溫、高濕、高壓條件下可靠運行。如何選擇合適的汽車級半導體器件，對于Tier1和OEM的產(chǎn)品可靠性及其成本至關(guān)重要。本文將從汽車行業(yè)的IGBT模塊環(huán)境試驗的要求出發(fā)，介紹汽車級功率半導體器件IGBT模塊需要滿足的條件。
2022-05-09
-
東芝低功耗IGBT持續(xù)助力家電市場
IGBT因其優(yōu)異的電氣屬性和性價比在業(yè)界被廣泛應用，特別是在工業(yè)控制領域幾乎隨處可見IGBT的身影。作為功率半導體的家族分支，不僅融合了BJT和MOSFET的優(yōu)點，還進一步提升了控制速度和精度，同時具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。而今天要給大家介紹的是由東芝半導體新研發(fā)的具備低功耗節(jié)能屬性的IGBT器件——GT30N135SRA，其有助于家電產(chǎn)品能耗進一步降低。
2022-04-30
-
IGBT驅(qū)動電流行為綜述
】IGBT是一種電壓驅(qū)動的電子開關(guān)，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導通，實際器件的驅(qū)動是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅(qū)動電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流取決于柵極電荷，但我們一般講的是峰值電流。
2022-04-30
-
多功能預驅(qū)動器，為中高電流驅(qū)動器提供全方位保護
關(guān)于IGBT／MOSFET預驅(qū)動器，相信做電機驅(qū)動或者大功率設備驅(qū)動的工程師都會有所了解，所謂預驅(qū)動器，其實就是將微控制器與IGBT／MOSFET隔離開來，為負載及驅(qū)動器提供保護，并為微控制器（MCU）提供診斷信息。這種預驅(qū)動器一般會使用運放，MOS或者三極管等搭建，在實現(xiàn)保護驅(qū)動器和微控制器的前提之下，還實現(xiàn)了將MOSFET的漏極-源極電壓（VDS）與基準電壓做比較，實現(xiàn)狀態(tài)診斷；那么大家知道光耦其實還可以做IGBT／MOSFET的預驅(qū)動器么？東芝針對IGBT／MOSFET產(chǎn)品以及光耦應用技術(shù)深耕多年，這款針對中高電流IGBT／MOSFET的預驅(qū)動器——TLP5231，就是東芝半導體系列產(chǎn)品線的補充和完善。
2022-04-27
-
如何正確理解功率循環(huán)曲線
近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注，特別是風力發(fā)電、軌道交通等應用領域。IGBT的可靠性通常用以芯片結(jié)溫變化為衡量目標的功率循環(huán)曲線和基板溫度變化為衡量目標的溫度循環(huán)曲線來評估。引起IGBT可靠性問題的原因主要是IGBT是由多種膨脹系數(shù)不同的材料焊接在一起，工作過程中溫度的變化會引起結(jié)合點的老化，以及綁定線在工作過程中熱脹冷縮；另外綁定線的成分，綁定工具的形狀、綁定參數(shù)以及芯片的金屬化焊接等因素都會影響IGBT的可靠性。
2022-04-20
-
圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用
現(xiàn)代尖端電力電子設備性能升級需要提升系統(tǒng)功率密度、使用更高的主開關(guān)頻率。而現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關(guān)器件。為此，基本半導體推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案。
2022-04-01
-
英飛凌650V混合SiC IGBT單管助力戶用光伏逆變器提頻增效
戶用光伏每年裝機都在高速增長，單相光伏逆變器功率范圍基本在3~10kW，系統(tǒng)電路示意框圖如圖1所示，從光伏電池板經(jīng)過逆變器中DC/DC，DC/AC電路實現(xiàn)綠電的能量轉(zhuǎn)換，英飛凌能提供一站式半導體解決方案包括650V功率器件、無核變壓器CT技術(shù)驅(qū)動IC、主控制MCU和電源管理芯片等。
2022-03-01
-
集成驅(qū)動器！原來，GaN電源系統(tǒng)性能升級的奧秘在這里~
如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導體技術(shù)風頭正勁。與傳統(tǒng)的半導體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導電率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強……因此可實現(xiàn)更高的功率密度、更高的電壓驅(qū)動能力、更快的開關(guān)頻率、更高的效率、更佳的熱性能、更小的尺寸，在高溫、高頻、高功率、高輻射等功率電子應用領域，不斷在向傳統(tǒng)的硅基IGBT和MOSFET器件發(fā)起強勁的沖擊。
2022-02-17
-
一文弄懂IGBT驅(qū)動
要了解什么是IGBT驅(qū)動，首先你需要了解什么是IGBT。我們都知道，電機驅(qū)動是IGBT的主要應用領域之一。
2022-02-11
-
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨使用外，還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。
2022-02-11
-
擔心柵極驅(qū)動器的絕緣能力？采用'BIER'測試吧
最新的寬帶間隙（WBG）半導體正走向最理想的狀態(tài)，也就是具有高電壓和低損耗的超快速切換，而現(xiàn)代的MOSFET和溝槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而，下橋臂電路中的快速切換會將瞬態(tài)電壓耦合到柵極驅(qū)動電路，從而造成混亂或損壞，同時上橋臂柵極驅(qū)動器的信號和電源隔離還會受到應力影響。本文將探討這些影響、解釋如何減輕影響，以及評估應力和局部放電（PD）帶來的損傷的實驗結(jié)果。
2022-01-27
-
IGBT和MOSFET該用誰？你選對了嗎？
半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復合全控型電壓驅(qū)動式半導體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。隨著新能源汽車、智能家電、5G、軌道交通等行業(yè)的興起，MOSFET和IGBT也迎來了發(fā)展的春天。
2022-01-26
- 800V牽引逆變器：解鎖電動汽車續(xù)航與性能躍升的工程密鑰
- 熱敏電阻技術(shù)全景解析：原理、應用與供應鏈戰(zhàn)略選擇
- 如何破解導航系統(tǒng)中MEMS IMU數(shù)據(jù)同步困局？
- 非線性響應破局！新一代eFuse跳變曲線如何提升能效？
- 電源測量的導線布局如何影響測量精度？
- 小信號放大新思路，低成本儀表放大器的差分輸出設計
- 隔離SEPIC轉(zhuǎn)換器如何破解反激式拓撲的EMI與調(diào)節(jié)困局？
- 從實驗室到市場：碳化硅功率器件如何突破可靠性瓶頸
- 維科杯·OFweek2025年度評選：揭秘工業(yè)自動化及數(shù)字化轉(zhuǎn)型“領航者”，誰將脫穎而出？
- 尋找傳感器界的“隱形王者”！維科杯·OFweek 2025年度評選等你來戰(zhàn)
- 厚膜電阻在通信基礎設施中的關(guān)鍵應用與技術(shù)突破
- 碳膜電位器技術(shù)解析：從原理到選型與頭部廠商對比
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
